晶体管原理31的学习课件.pptxVIP

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晶体管原理31的学习课件; 美国贝尔实验室发明的世界上第一支锗点接触式双极型晶体管。随后出现了结型双极型晶体管。; 双极型晶体管有两种基本结构:PNP 型和 NPN 型,其结构示意图和在电路图中的符号如下。; 均匀基区晶体管:基区掺杂为均匀分布。少子在基区主要作扩散运动,又称为 扩散晶体管。 ; 加在各 PN 结上的电压为; 均匀基区晶体管在 4 种工作状态下的少子分布图;; 均匀基区 NPN 晶体管在 4 种工作状态下的能带图;; 为了理解晶体管中的电流变化情况,先复习一下 PN 结中的正向电流。; 以 PNP 管为例。忽略势垒区产生复合电流, 处于放大状态的晶体管内部的各电流成分如下图所示,; 从 IE 到 IC ,发生了两部分亏损:InE 与 Inr 。 ;; 定义:发射结正偏,集电结零偏时的 IC 与 IB 之比,称为共发射极直流短路电流放大系数,记为 ,即:; α 与 hFB以及 β 与 hFE 在数值上几乎没有什么区别,但是若采用 α 与 β 的定义,则无论对 α 与 β 本身的推导还是对晶体管直流电流电压方程的推导,都要更方便一些,所以本书只讨论 α 与 β 。; 除了上面两种直流电流放大系数外,还有 直流小信号电流放大系数(也称为 增量电流放大系数)和 高频小信号电流放大系数。直流小信号电流放大系数的定义是 ;感谢观看!

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