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本申请公开了一种中子探测器。本申请的中子探测器包括盖板、底座和若干个层叠的涂硼微间隙室电极，盖板和底座组成容纳涂硼微间隙室电极的气体腔；盖板设有入射窗，入射窗内表面安装涂硼阴极板；涂硼微间隙室电极包括基板，基板面向盖板的面设有若干相互平行的金属读出条，金属读出条的表面在与之垂直的方向设有若干相互平行的金属阳极条，读出条和阳极条间由绝缘层隔开；基板面向底座的面涂覆有硼薄膜层。本申请的中子探测器，相对于现有的多层涂硼多丝正比室，具有更高的位置分辨率和最高计数率，相对于现有的多层涂硼GEM，本申请中子
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116430436 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310271801.0
(22)申请日 2023.03.20
(71)申请人 深圳技术大学
地址 518000
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