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- 2023-07-15 发布于四川
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本申请的实施例提供了具有标准单元的半导体器件及其形成方法。具有标准单元的半导体器件包括第一底部晶体管、第一顶部晶体管、第二底部晶体管、第二顶部晶体管和第一底部晶体管层级金属线。第一底部晶体管位于第一行中。第一顶部晶体管设置在第一行中的第一底部晶体管上方。第一底部晶体管和第一顶部晶体管共享第一栅极结构。第二底部晶体管位于紧邻于第一行的第二行中。第二顶部晶体管设置在第二行中的第二底部晶体管上方。第二底部晶体管和第二顶部晶体管共享第二栅极结构。第一底部晶体管层级金属线从第一底部晶体管的第一源极/漏极区
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435299 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310284814.1 H01L 27/092 (2006.01)
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