双极晶体管的直流电流电压方程.pptVIP

3.4 双极晶体管的直流电流电压方程; 推导电流电压方程时，利用扩散方程的解具有线性迭加性的特点：方程在 “边界条件 1” 时的解 n1(x) 与在 “边界条件 2” 时的解 n2(x) 的和 [ n1(x) + n2(x) ]，等于以 “边界条件 1 与边界条件 2 的和” 为边界条件时的解 n(x) 。; 集电结短路时的电流; 式中，IES 代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独的发射结构成的 PN 结二极管的反向饱和电流。;发射结短路时的电流; 式中，ICS 代表集电结反偏、发射结零偏时的集电极电流，相当于单独的集电结构成的 PN 结二极管的反向饱和电流。 代表倒向管的共基极直流短路电流放大系数，通常比 小得多 。;晶体管的直流电流电压方程; 若选取 IB 与 IC ，所得为共发射极直流电流电压方程，;晶体管的输出特性;当 VBC = 0 时，; 共基极输出特性曲线; 共发射极输出特性：以输入端的 IB 为参变量，输出端的 IC 与 VCE 之间的关系。; 式中，; 当 VBC = 0，或 VBE = VCE 时，; 共发射极输出特性曲线; 基区宽度调变效应;晶体管的直流电流电压方程 将上述两种偏置条件下的电流相加，即可得到发射结和集电结上均外加任意电压时晶体管的直流电流电压方程。 4 双极晶体管的直流电流电压方程 在共发射极放大区，理论上 ，即 IC 与 VCE 无关。 式中，IES 代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独的发射结构成的 PN 结二极管的反向饱和电流。 由于三个电流之间满足 IE = IC + IB ，三个电流中只有两个是独立的。 在共发射极放大区，理论上 ，即 IC 与 VCE 无关。 由共发射极直流电流电压方程 由共发射极直流电流电压方程 消去 VBE ，即可得共基极输出特性方程： 由共基极直流电流电压方程 推导电流电压方程时，利用扩散方程的解具有线性迭加性的特点：方程在 “边界条件 1” 时的解 n1(x) 与在 “边界条件 2” 时的解 n2(x) 的和 [ n1(x) + n2(x) ]，等于以 “边界条件 1 与边界条件 2 的和” 为边界条件时的解 n(x) 。 由共发射极直流电流电压方程 如果把晶体管的发射区当作“集电区”，集电区当作 “发射区”，就可以得到一个倒过来应用的晶体管，称为 倒向晶体管。 在放大区，VBC 0 ，或 VBE VCE ， 当 VBC = 0，或 VBE = VCE 时， 为减小厄尔利效应，应增大基区宽度 WB ， 减小集电结耗尽区在基区内的宽度 xdB ，即增大基区掺杂浓度 NB 。 4 双极晶体管的直流电流电压方程 在放大区，VBC 0 ，且当 时， 进入基区中的部分，即 xp 。 于是可得到发射结为任意偏压、集电结零偏时晶体管三个电极的电流为 进入基区中的部分，即 xp 。 在放大区，VBC 0 ，或 VBE VCE ， 式中，ICS 代表集电结反偏、发射结零偏时的集电极电流，相当于单独的集电结构成的 PN 结二极管的反向饱和电流。 由共基极直流电流电压方程 当 VBC = 0 时， 消去 VBE ，即可得共发射极输出特性方程： 晶体管的直流电流电压方程 为减小厄尔利效应，应增大基区宽度 WB ， 减小集电结耗尽区在基区内的宽度 xdB ，即增大基区掺杂浓度 NB 。 式中，; 当忽略基区中的少子复合及 ICEO 时，;进入基区中的部分，即 xp 。; 对于均匀基区，; VA 的几何意义 3.4 双极晶体管的直流电流电压方程; 推导电流电压方程时，利用扩散方程的解具有线性迭加性的特点：方程在 “边界条件 1” 时的解 n1(x) 与在 “边界条件 2” 时的解 n2(x) 的和 [ n1(x) + n2(x) ]，等于以 “边界条件 1 与边界条件 2 的和” 为边界条件时的解 n(x) 。; 集电结短路时的电流; 式中，IES 代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独的发射结构成的 PN 结二极管的反向饱和电流。;发射结短路时的电流; 式中，ICS 代表集电结反偏、发射结零偏时的集电极电流，相当于单独的集电结构成的 PN 结二极管的反向饱和电流。 代表倒向管的