光刻显影方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-07-15 发布于四川
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光刻显影方法及半导体结构.pdf

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本发明提供一种光刻显影方法，包括以下步骤：提供一经曝光后的目标结构，目标结构包括半导体衬底以及位于半导体衬底之上的光刻胶层；在光刻胶层之上形成润湿层，润湿层为去离子水与显影液的混合；向覆盖有润湿层的光刻胶层的表面喷洒显影液，使显影液覆盖在光刻胶层的整个表面上进行显影；去除显影液，获得显影后的目标结构。在显影之前利用去离子水和显影液的混合对表面进行润湿，在后续显影过程中显影液可以快速均匀地涂布于光刻胶上，减少缺陷的产生，提高图形尺寸的精确度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116430690 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310425476.9 (22)申请日 2023.04.19 (71)申请人物元半导体技术（青岛）有限公司