电力电子技术填空简答知识点总结.pdfVIP

先天下之忧而忧，后天下之乐而乐。——范仲淹 电⼒电⼦技术填空简答知识点总结 1、__GTR_______存在⼆次击穿现象，___IGBT_________存在擎住现象。 2、功率因数由基波电流相移和电流波形畸变这两个因素共 同决定的。 3、晶闸管串联时，给每只管⼦并联相同阻值的电阻R是均压措施。 4、同⼀晶闸管，维持电流I H与掣住电流I L在数值⼤⼩上有I L_为2~4倍I H。 5、电⼒变换通常可分为：交流变直流、直流变交流、交流变交流和直流变 直流。 6、在下图中，___V1__和___VD1__构成降压斩波电路使直流电动机电动运⾏，⼯作于第 1象限；V2__和VD2___构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再⽣制动运⾏，⼯作 于第2____象限。 1、请在正确的空格内标出下⾯元件的简称： 电⼒晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ；IGBT 是MOSFET 和GTR 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是有⾜够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要 ⾼和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的⽅法是串专⽤电抗。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为⽅波。 5、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同⼀桥臂上的上、下⼆个开关管间进⾏，称为 __180__°导电型 6、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降。 1、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于 1.57 倍I T （A V ），如果I T （A V ）=100安培，则它允许的有效电流为 157 安培。通常在选 择晶闸管时还要留出 1.5~2 倍的裕量。 2、三相桥式全控整流电路是由⼀组共阴极三只晶闸管和⼀组共阳极的 三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同⼀组内的元件进⾏的。每 隔 60度换⼀次相，在电流连续时每只晶闸管导通 120 度。要使电路 ⼯作正常，必须任何时刻要有 2 只晶闸管同时导通，⼀个是共阴极 的，另⼀个是共阳极的元件，且要求不是同⼀桥臂的两个元件。 3、为了减⼩变流电路的开、关损耗，通常让元件⼯作在软开关状态，软开关电 路种类很多，但归纳起来可分为零电压与零电流两⼤类。 4、提⾼变流置的功率因数的常⽤⽅法有减⼩触发⾓、增加整流相 一寸光阴一寸金，寸金难买寸光阴。——《增广贤文》 常将有日思无日，莫待无时思有时。——《增广贤文》 数、采⽤多组变流装置串联供电、设置补偿电容⼏种。 5、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围 0-150° ，三 相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0-120° ，三相半控桥电阻性 负载时，电路的移相范围 0-180° 。 1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常⽤的外形有螺栓型与平板 型。 2、选⽤晶闸管的额定电流时，根据实际最⼤电流计算后⾄少还要乘以 1.5~2 。 3、晶闸管的导通条件是晶闸管承受正向电压且门极有触发电 流。 4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM 与转折电压U BO 在数值⼤⼩上应为U DSM ⼩于 U BO 。P21 5、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有单向可控导电性 的特性。 6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电⾓度称为触发⾓或控制⾓。 7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种⽅法，⽬前采⽤较多的是 双窄脉冲触触发⽅法。 8、三相半波可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。 9、在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制⾓⼤于30° 时，输出电压波形出现负值，因⽽常加续流⼆极管。 10、三相桥式整流电路中，当控制⾓α＝300时，则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为90°。 11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相⽐，则使输出电压平均值降低。 12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电⽹的逆变 电路。 13、有源逆变产⽣的条件之⼀是：变流电路输出的直流平均电压U d的极性必 须保证与直流电源电势E d的极性成反极性相连，且满⾜|U d||E d|。 14、为了防⽌因逆变⾓β过⼩⽽造成逆变失败，⼀般βmin应取30° ~35°，以保证逆变时能正常换相。 15、载波⽐(⼜称频率⽐)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为f r，三⾓ 波的频率为f c ，则载波⽐表达式为K= fc/fr 。 16、抑制过电压的⽅法之⼀是⽤阻容电路吸收可能产⽣过电压的能量， 并⽤电阻将其消耗。 17、斩波器的时间⽐控制⽅