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半导体纳米粒子及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-20 发布于四川
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半导体纳米粒子及其制造方法.pdf

    本发明提供一种能够制造粒度分布窄的半导体纳米粒子的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：准备包含Ag盐、含In和Ga中的至少一种的盐、和有机溶剂的混合物；将所述混合物升温到120℃以上且300℃以下的范围内的温度；向被升温的所述混合物中，按照所述混合物中的S的原子数相对于Ag的原子数之比的增加率成为10/分钟以下的方式添加S的供给源。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113474291 A (43)申请公布日 2021.10.01 (21)申请号 202080013342.0 (72)发明人 鸟本司　龟山达矢　桑畑进　

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