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- 2023-07-21 发布于四川
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本申请实施例是关于半导体封装结构。根据一实施例的半导体封装结构包括衬底;及第一类型的第一裸片,其位于衬底上方。第一类型的第一裸片包括第一裸片区域;第二裸片区域,其邻近第一裸片区域;及第一分割线沟槽,其位于第一裸片区域与第二裸片区域之间。本申请实施例提供半导体封装结构的制造工艺简单且高效,其具有较高的装置密度和良好的产品质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214279953 U
(45)授权公告日 2021.09.24
(21)申请号 202120334679.3
(22)申请日 2021.02.05
(73)专利权人 美光科技公司
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