湿洗净和干洗净制程设备.docxVIP

半导体制程中，用到的湿滞程(wetorocessing)以晶圆洗净(wafercleaning)和湿蚀刻 (wet etching)为主。晶圆洗净是尤其重要的，它约占全部ULSI制程步骤的30%。洗净的目 的是去除金属杂质，有机物污染及微尘。并要考虑表面粗糙程度，及可能形成的自然氧化物 (native oxide)之清除。金属杂质如铁、金会造成p-n接面的漏电，降低少数载子生命期，降 低闸极氧化层的崩溃电压。钠、钾会造成MOS的临限电压改变，使元件不稳定，可靠度下 降。微尘会影响照相制程的圆形真实度，或造成短路、断路，而降低良率。湿蚀刻虽然会造 成底切，但在离散半导体元件(discrete devive)，仍有相当的重要性。一些干洗净设备也一 并在本章介绍。 晶圆的污染有二大类；一是微粒子，二是膜。微粒子源包括矽宵、石英宵、空气、灰尘、 无尘室人员和制程机器的发尘，光阻片和细菌等。膜污染为晶圆上的异物。部分膜会松动脱 落而变成微粒子，如光阻浮渣。其余的膜污染有有机溶剂残留物，如丙酮、三氯乙烯、异丙 醇、甲醇、二甲苯、光阻显影剂和油膜、金属膜等。化学清洗和光阻去除都是用来出去膜污 染。 化学清洗常用酸和清洗槽。常用于高温制程之前，如氧化、扩散、磊晶和退火等。而美 国无线电公司(RCA )清洗制程则是最常用的方法。 几乎所有的I.C,制程都必须做晶圆湿式洗净，例如晶圆初始洗净、扩散前洗