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一种超结功率DMOS器件.pdfVIP

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  • 2023-07-26 发布于四川
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一种超结功率DMOS器件.pdf

    本实用新型提供一种超结功率DMOS器件，包括金属化漏电极、第一导电类型重掺杂半导体衬底、第一导电类型半导体柱区、第二导电类型半导体柱区、第二导电类型半导体体区、第一导电类型重掺杂半导体源区、第二导电类型重掺杂半导体接触区、多晶硅栅电极、栅介质层、金属化源电极，本实用新型通过在常规超结功率DMOS器件的基础上，将第一导电类型重掺杂半导体衬底由均匀掺杂改变为非均匀掺杂，避免了高掺杂衬底与低掺杂漂移区层的电场尖峰，缓解了SEB效应，从而提高其器件的可靠性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209896067 U (45)授权公告日 2020.01.03 (21)申请号 20192

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