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- 约 17页
- 2023-07-26 发布于四川
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本发明涉及一种晶圆切割方法、芯片封装方法和半导体结构。晶圆切割方法包括:提供待切割晶圆,所述待切割晶圆包括导电层;在所述待切割晶圆的第一表面形成切割道;在所述第一表面形成暴露出所述切割道的掩膜层;自所述第一表面沿着所述切割道进行干法刻蚀,直至暴露出所述导电层;对所述待切割晶圆进行扩片,使得所述导电层断裂,以将所述待切割晶圆分离成多个晶圆颗粒。上述晶圆切割方法结合了等离子体刻蚀工艺和冷崩工艺的优点,可以对晶圆实现快速切割,提高产品良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116487255 A
(43)申请公布日 2023.07.25
(21)申请号 202210040856.6 H01L 25/065 (2023.01)
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