当电子元件收缩到深次微米区域.pptVIP

当电子元件收缩到深次微米区域第一页，共十八页，2022年，8月28日 Background當電子元件收縮到深次微米區域，化學機械拋光 （CMP）在ULSI製程中對多層次連接的平坦度上非常重要的程序。移除率(remove rate)和非均一性(non-uniformity)方面是主要的製程效能與品質指標。運用實驗設計方法將 CMP 儀器參數予以最佳化。以高移除率和較低的非均一性觀點檢查製程參數，並決定最佳的 CMP 參數。 第二页，共十八页，2022年，8月28日 Experiments 實驗機台: CMP polisher (精拋機)控制因子:Slurry flow rate :以含有SiO顆粒及KOH填補研磨空隙,防止應力破壞。 研磨後，以純水及旋轉方式清洗表面。Table and Head speed :兩者研磨轉速。Down force :將晶圓下壓的力量。第三页，共十八页，2022年，8月28日 第四页，共十八页，2022年，8月28日 第五页，共十八页，2022年，8月28日 第六页，共十八页，2022年，8月28日 第七页，共十八页，2022年，8月28日 Flow rate90 阻礙remove rateFlow rate60 非均一性變大第八页，共十八页，2022年，8月28日 Conclusions 經過DOE之後﹐CMP 參數最佳化非均一性在4%以 下﹐Remove rate超過 2000° A/min 。必須小心地設計Head/Table speed比例(1~2倍) 。What’s wrong?第九页，共十八页，2022年，8月28日 Case II: 光阻膜厚試驗 第十页，共十八页，2022年，8月28日 Background目的：為使晶片上之金屬層形成我們所需的線路,覆蓋於金屬層上的光阻必須有一均勻的厚度以利後續的曝光(exposure),顯影(develop)及蝕刻(etchig)。本實驗的目的即針對AZ1500光阻特性尋找膜厚為4.5μ且均勻度最好的操作條件。光阻塗佈工作流程:START→熱烤→降溫→光阻塗佈(旋開式)→熱烤→降溫→END 第十一页，共十八页，2022年，8月28日 因子選取X1:烘烤溫度(上光阻前) Hot plate temperature (wafer)X2:烘烤時間(上光阻前) Hot plate time (wafer)X3:預轉轉速 Pre-spin speedX4:預轉時間 Pre-spin timeX5:主轉轉速 Main spin speedX6:主轉時間 Main spin timeX7:甩乾轉速 Dry spin speedX8:甩乾時間 Dry spin timeX9:烘烤時間(上光阻後) Hot plate temperature ( after coating )X10:烘烤溫度(上光阻後) Hot plate time ( after coating ) 第十二页，共十八页，2022年，8月28日 其他因子光阻量降溫時間(上光阻前)預轉加速度時間主轉加速時間甩乾加速時間降溫時間(上光阻後)氣壓壓力第十三页，共十八页，2022年，8月28日 反應變數光阻厚度 ( 4.45μ ≦ film thickness ≦ 4.55μ) 均勻度 ( uniformity≦1 % ) 第十四页，共十八页，2022年，8月28日 第一階段實驗210-5+(nc=5)解析度III以上，可了解主因子作用。中心點複製以估算實驗自然誤差。實驗結果： thickness :主要影響因子 x5,x9 次要影響因子 x3,x4 uniformity:差異不明顯第十五页，共十八页，2022年，8月28日 第一階段ANOVASourceSum ofSquaresDFMean SquareF ValueProb FModel2.1940.55465.51 0.0001Curvature4.295E-0414.295E-040.370.5499Residual0.036311.175E-03Lack of Fit 0.036271.339E-0319.480.0052Pure Error2.750E-0446.874E-05Cor Total2.2236Root MSE0.034R-Squared0.9836Dep Mean4.53Adj R-Squared0.9815C.V. 0.76Pred R-Squared0.97