JB_T 5629-1991半导体器件烧结炉能耗分等.pdf

中华人民共和国机械行业标准JB/T 5629—91半导体器件烧结炉能耗分等主题内容与适用范围本标准规定了半导体器件烧结炉能耗分等。本标准适用于电子工业企业半导体器件容量大于或等于20kW的烧结炉（以下简称烧结炉），单台或炉群。2烧结炉能耗按可比单耗分一等、二等、三等三个等级。达不到三等指标的属等外。3烧结炉能耗分等见表1。表 1可比单耗指标kW·h/万只二等三等≤190190~ 300300~450可比单耗按统计期内每万只合格率导件器件折合产量计算的平均单耗，称为可比单耗。按式(1)计算：bk =W(1 )式中：bk—可比单耗，kW.h/万只；W—统计期内该炉（台、群）总耗电量，kW·h；Gz一统计期内该炉（台、群）合格产品总折合产量，万只。4.1统计期内总耗电量应包括炉子的升温、工件加热、保温、待料及炉子本体辅助设各等耗电。5折合产量考虑产品工艺及外形尺寸不同的影响，经折算的合格产品产量，称为折合产量。其总折合产量按式（2）计算：G= G,K,K,....* (2 )式中，G,统计期内某种合格产品产量，万只；K.——该种产品的工艺系数（见表2）表 2三极管及可控硅零件芯片二极管项目铁封玻璃陶瓷5*玻璃大中小功宰超高频钻管硅管K,111,201 ,500,753,000,750,93机械电子工业部1991-09-13批准1992-07-01实施164 JB/T 5629—91K2/该产品的外形尺寸系数（见表3）。表3参考尺寸外形尺寸代号K,1vzoD,03AD,05A$1,90~2,80D,05BD,11AD,11B0 ,02E^01AEx01BEq03AD,03BD,03CD,-osC3.00~4,10D,07AD,~10AEs-01A0,05E02AE+-06AD,5DD,08AD,--09AE04AE,05AAs01AAs01BAg01CAg01D$5.00~6.68As-03AAg03BAs04A0,15A04BAs04CA,01AA,-01BA,01CA+-01DAg01AD,06AAs02AAs02B$8,00~12,70As02CA*02AA,02B0,42A,02CAg-02A12,82~13,00C,01AC,~01ACs—01ACs02AC,--02B0 ,900991~05910As05AA s~~06AB, --05AU,15.30~16.50B,06AC,01BC,01B-C,01CC,01DC,02AC,02BC,01CC,01D$18.50~28,00C,01BCg-01CC,02A2,80U,18,50~28.00Cs02BCs-02CB,0gAB,09BB,10AB,01AB,01BΦ31,00~39,00C,02DB,02BB,01AU,31,00~39,00B,01BC,02C5,00Cs--02DCs03A$40,00~47,00U, 40,00~47,00B,01CC,02ECs03B6,00$48,00~58.00C,02FC,02GCs03CU,48.00~58.00Cs03DB,--01DB,02B8,00注：表中未列入外形尺寸代号的产品，可按其实际外形尺寸对照参考尺寸确定K值，165 JB/T 5929—91统计期，199年半导体器件烧结炉能耗分等全年JB/T 5629-91计算位12月kW·h/万只Xq可比单耗名11月标准值标准名称10月标人E6表台（套）任8月+安装位置7月A型号规格月录炉附始本5月装工业部机械标准化研究所归口。件名称4月示准由无锡微电子联合公司负资起草。示准由机械电子工业部生产司提出。3月台（套）2月示准由机械电子工-炉子类别20/M=Xg万只MX加说明：耗电量W总折合产量Gz本木项166