原创力文档- 11
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- 2023-07-29 发布于四川
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本申请提供了一种SiCLDMOS器件以及电子设备。该器件包括衬底、第一外延层、第二外延层以及有源区，其中，衬底为N型层；第一外延层位于衬底的表面上，第一外延层为P型层，第一外延层的掺杂浓度与衬底的掺杂浓度比值范围为1:0.1～1:1000；第二外延层位于第一外延层的远离衬底的表面上，第二外延层为P型层；有源区位于第二外延层中。该器件中，通过增加第一外延层作为衬底与第二外延层之间的纵向缓冲层，避免衬底与第二外延层之间的界面浓度发生突变，从而第二外延层、第一外延层和衬底形成了缓慢变化的结分布，提高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504835 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202210493257.X
(22)申请日 2022.05.07
(71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司
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