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用于低温蚀刻的工艺气体、等离子蚀刻装置以及使用其制造半导体器件的方法.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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用于低温蚀刻的工艺气体、等离子蚀刻装置以及使用其制造半导体器件的方法.pdf

    一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成模具层；在模具层上形成硬掩模层，使得模具层的一部分被暴露；以及使用硬掩模层对模具层执行低温蚀刻工艺。低温蚀刻工艺包括：向腔室供应工艺气体，工艺气体包括第一工艺气体和第二工艺气体；以及从工艺气体生成等离子体。第一工艺气体的自由基蚀刻模具层的暴露部分。基于自由基蚀刻模具层的暴露部分来产生铵盐。第二工艺气体包括R‑OH化合物。R是氢、Cl至C5烷基、C2至C6烯基、C2至C6炔基或苯基。第二工艺气体降低铵盐的产生速率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504621 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202211264279.5 C09K 13/00 (2006.01) (22)申请日 2022.10.

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