1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

电容阵列的制备方法.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约2.45万字
  • 约 37页
  • 2023-07-29 发布于四川
  • 举报

电容阵列的制备方法.pdf

    一种电容阵列的制备方法。该方法包括：沉积一牺牲层于一底部电极上；沉积一绝缘层于牺牲层上；形成一多晶硅硬掩膜于绝缘层上；蚀刻通过多晶硅硬掩膜中的多个开口暴露出来的绝缘层和牺牲层以形成多个通道；沉积一金属膜于多晶硅硬掩膜上和该些通道中；沉积一钝化膜于金属膜上；进行一第一移除制程以移除多晶硅硬掩膜之上的部分钝化膜和金属膜；进行一第二移除制程以移除通过钝化膜和金属膜暴露出来的部分多晶硅硬掩膜；进行一第三移除制程以移除多晶硅硬掩膜和围绕多晶硅硬掩膜的部分钝化膜和金属膜；从绝缘层和牺牲层移除钝化膜和金属膜；

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116507198 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202211718171.9 (22)申请日 2022.12.29 (30)优先权数据 17/584,567 2022

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >