MOS测试原理解析.ppt

s_quintp\Bureau Veritas\41 Truth Analyst Presentation.ppt s_quintp\Bureau Veritas\41 Truth Analyst Presentation.ppt MOS測試原理解析 MOSFET-簡介 MOSFET定義及特點 MOSFET結構 MOSFET工作原理(NMOS) MOSFET特性曲線(NMOS) 分立器件測試機 MOSFET的直流參數及測試目的 MOSFET的交流參數 MOSFET Related 廠內分析MOSFET異常方法 習題 MOSFET定義 MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管. MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等 特點： MOSFET結構 增強型NMOS結構與符號; MOSFET工作原理 增強型NMOS工作原理; MOSFET特性曲線 增強型NMOS特性曲線：轉移特性曲線 MOSFET特性曲線 增強型NMOS特性曲線：輸出特性曲線 分立器件測試機 目前廠內測試分立器件的模擬測試機有： MOSFET的直流參數及測試目的 測試項目： MOSFET的直流參數及測試目的 1.測試項目(IGSS)，測試線路如右： MOSFET的直流參數及測試目的 2.測試項目(IDSS)，測試線路如右： MOSFET的直流參數及測試目的 3.測試項目(BVDSS)，測試線路如右： MOSFET的直流參數及測試目的 4.測試項目(VTH)，測試線路如右： MOSFET的直流參數及測試目的 5.測試項目(Rdson)，測試線路如右： MOSFET的直流參數及測試目的 5.測試項目(Rdson)，測試線路如右： MOSFET的直流參數及測試目的 6.測試項目(VFSD)，測試線路如右： MOSFET的直流參數及測試目的 7.測試項目(VP)，測試線路如右： MOSFET的直流參數及測試目的 8.測試項目(GMP)，測試線路如右： MOSFET的交流參數 AC PARAMETER DYNAMIC CHARACTERISTICS CISS , COSS ,CRSS GATE CHARGE QG/QGS/QGD TURN-ON/OFF DELAY TIME TD (ON) /TD (OFF) RISE / FALL TIME TR /TF MOSFET的交流參數 DYNAMIC CHARACTERISTICS CISS , COSS ,CRSS MOSFET的交流參數 MOSFET的交流參數 MOSFET的交流參數 MOSFET Related MOSFET Related MOSFET Related MOSFET Related MOSFET Related 廠內分析MOSFET 異常方法 習題 Thaks a lot * GTM_ENG 學習資料 s_quintp\Bureau Veritas\41 Truth Analyst Presentation.ppt GTM Electronics (Shanghai) Ltd. By Antly_law G D S 1.单极性器件(一种载流子导电) 2.输入电阻高(107 ? 1015 ?，IGFET(絕緣柵型) 可高达 1015 ?) 3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低 G P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ S D B 耗尽层 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。 　　它的栅极与其它电极间是绝缘的 符號如右 S G D B A.当 UGS = 0 ，DS 间为两个背对背的 PN 结； B