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- 2023-07-31 发布于四川
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本实用新型提供一种含有多层高K栅绝缘层的MOS‑HEMT器件，包括衬底，衬底表面形成有1～2μm厚的缓冲层，缓冲层表面形成有25～30nm厚的势垒层，势垒层表面形成有铝金属薄膜，势垒层表面左右侧铝金属薄膜表面对应形成有图形化的源电极和漏电极，源漏电极沟道之间形成有多层高K栅绝缘层，多层高K栅绝缘层包括由势垒层表面左右两侧铝金属薄膜之间的铝金属薄膜直接氧化生成的氧化铝层以及叠加形成于氧化铝层表面的氧化锆层，氧化铝层表面与源漏电极的底面平齐，氧化锆层表面形成有栅电极。本申请中的多层高K栅绝缘层由氧化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209947842 U
(45)授权公告日
2020.01.14
(21)申请号 20192
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