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第八章 磁性物理 ;O;居里点:
当温度达到一定时,铁磁质转变为顺
磁质,称这一温度为“居里点”;磁 畴; 1926年海森堡用量子力学中的交换力解
释了磁偶极子间相互作用的起源。 ; 1935年,朗道和栗佛希兹从磁场能量的
观点说明了磁畴的成因。;显示磁畴结构的铁粉图形;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;磁滞损耗;3. 有剩磁、磁饱和及磁滞现象。;软磁材料; 特点:剩余磁感应强度大,矫顽力大,不
容易磁化,也不容易退磁。磁滞回线宽,磁
滞损耗大。; 应用:作计算机中的记忆元件。磁化时极
性的反转构成了“0”与“1”。;8.7 畴壁与磁畴结构 ; 畴与畴之间的边界称为畴壁。相邻两个片状畴的磁矩夹角为180°时,它们的边界称为180°畴壁。片状畴与三角畴(又称封闭畴)之间磁矩相互垂直,它们的边界称为90°畴壁。在每一个磁畴内,磁矩平行或反平行地有序排列,产生自发磁化。而不同磁畴的自发磁化矢量则是随机排列 ;1.磁畴壁;图8.16:布洛赫壁和奈耳壁中磁矩过渡的方式
(a)布洛壁中磁矩过渡的方式
(b)奈耳壁中磁矩过渡的方式 ;如图8-16(a),设在畴壁内的2个相邻原子磁矩的夹角为φ,它们之间的交换作用能为;总能量最小时的畴壁能γω和畴壁厚度δ分别为:
γω =2π√[A1(K1+3λsσ/2)]
δ=π√[A1/(K1+3λsσ/2)] ; 在六方结构的Co和SmCo5等金属与合金中, K1很大,δ很小,γω很大,使φ角达6°~180°,并且φ角的分布是不均匀的。这种畴壁称为非连续畴壁模型 ;2. 磁畴结构;图8.17 边长为1cm*1cm*1cm的方块形单晶铁的可能畴结构,正面是(001)面;情况(a):一个单畴体
磁晶各向异性能Ek、、磁弹性能Eσ均为零,方块形状决定的退磁场能就是总能量:
Etotal=Ed= V (NMs2μ0) /2 ;情况(b):n个片状畴,
退磁场能为:
Ed=[ V (NMs2μ0) /2]/n ;情况(c):封闭畴
它由四个三角畴和两块位于{011}面的90°畴壁来组成。在畴壁内磁通是连续的,方块铁磁体表面不会出现磁荷,则退磁场能Ed为零,而K10决定了易磁化方向在100方向上,所以所有磁畴中的磁矩都在易磁化方向,Ek为零,但这时四个三角畴都要沿自己的易磁化方向伸长,出现了由应力产生的磁弹性能。其总能量为
Ec=Eσ + γ90×S90= V×λ2 100C11/2 + γ90×S90 = 25.7×10-5J ;情况(d)片状畴加封闭畴
Ed和Ek然仍然为零,只存在磁弹性能和畴壁能,其总能量为
Ed= V×λ1002 c11/2 + γ180×S180 +γ90×S90 ;实际存在的畴结构是与图8-17(d)的畴结构相一致,说明在本例中封闭畴结构比图8-17(b)所示的片状畴结构的能量更低 ;图8-18空洞(a)掺杂(b)和晶界(c)对磁畴结构的影响;3.单畴结构;一个半径为R的立方单晶体结构的球。
设磁晶各向异性常数K10,λs和应力σ可以忽略。
情况(a):4块封闭畴结构
球体中其他能量都为0,只有畴壁能,总能量是Ea= γ90×2πR2,
情况(b):单畴
球体中其他能量都为0,只有退磁能,总能量是Eb= V (NMs2μ0) /2=8μ0π2 Ms2 R3/9。 ;图8.19 立方单晶铁磁体球状颗粒(K10)的磁畴结构以及能量随R变化
(a)分畴 (b)不分畴;当Ea=Eb时求出的球的半径称为单畴体的临界尺寸Rc,
单晶体球体的RRc时,则分畴的情况下能量最低,以多畴体存在;
当RRc时,则不分畴的情况下能量最低,以单畴体存在。 ; 如果将单畴体的临界尺寸继续减小到一定程度后,由于表面与体积比大大增加,热振动能可能和微粒的磁晶各向异性能相当,这时微粒的磁矩不能固定地沿着易磁化方向排列,它随热振动自由改变,单畴微粒体就转变为超顺磁体。由单畴体转变为超顺磁体的临界尺寸Dp称为超顺磁体的临界尺寸。
磁性流体中的使用的磁性微粒一般具有超顺磁性。 ;内容总结
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