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- 2023-08-03 发布于湖北
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN 104881508 A
(10)申请公布号
(43)申请公布日2015.09.02
(43)申请公布日
(21)申请号 201410708276.5
(22)申请日 2014.11.27
(71)申请人 苏州能讯高能半导体有限公司
地址 215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨
丰路18号
(72)发明人 张乃千 裴轶
(74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司
11332
代理人 路凯 杨生平
(51)Int.Cl.
G06F 17/50 (2006.01)
权利要求书2页 说明书9页 附图2页
(54)发明名称
一种基于查表法的半导体器件的建模方法和
系统
(57)摘要
本发明公开了一种基于查表法的半导体器件
的建模方法和系统,该方法包括:根据至少一个
半导体单胞器件的本征数据,获取由至少一个所
述半导体单胞器件组成的半导体器件的本征仿真
数据;获取所述半导体器件的寄生仿真数据;根
据所述半导体器件的本征仿真数据和寄生仿真数
据,建立所述半导体器件的查表模型。本发明提供
的一种基于查表法的半导体器件的建模方法和系
统,能够减少仿真运算的数据量、缩短仿真运算的
时间和降低仿真中器件布局的复杂度。
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CN 104881508 A 权 利 要 求 书 1/2页
1.一种基于查表法的半导体器件的建模方法,其特征在于,包括:
根据至少一个半导体单胞器件的本征数据,获取由至少一个所述半导体单胞器件组成
的半导体器件的本征仿真数据;
获取所述半导体器件的寄生仿真数据;
根据所述半导体器件的本征仿真数据和寄生仿真数据,建立所述半导体器件的查表模
型。
2.根据权利要求 1 所述的基于查表法的半导体器件的建模方法,其特征在于,所述半
导体单胞器件为增强型的双极结型晶体管、场效应晶体管或双极型晶体管;或者
所述半导体单胞器件为耗尽型的双极结型晶体管、场效应晶体管或双极型晶体管。
3.根据权利要求 1 所述的基于查表法的半导体器件的建模方法,其特征在于,所述根
据至少一个半导体单胞器件的本征数据,获取由至少一个所述半导体单胞器件组成的半导
体器件的本征仿真数据,包括:
对所述半导体单胞器件进行不同测试条件下的测试,以得到相应测试条件下的测试数
据;
去除所述测试数据中的寄生参量,得到所述半导体单胞器件的本征数据;
根据所述半导体单胞器件的本征数据,建立所述半导体单胞器件的本征部分的查表模
型;
组合至少一个所述半导体单胞器件,仿真以获取到由至少一个所述半导体单胞器件组
成的半导体器件的本征仿真数据。
4.根据权利要求 3 所述的基于查表法的半导体器件的建模方法,其特征在于,根据所
述半导体单胞器件的本征数据,建立所述半导体单胞器件的本征部分的查表模型具体执行
过程为:
根据所述半导体单胞器件在不同环境温度的本征数据,建立所述半导体单胞器件不同
温度的查表模型。
5.根据权利要求 1 所述的基于查表法的半导体器件的建模方法,其特征在于,所述在
获取所述半导体器件的寄生仿真数据之前,还包括:
根据所述半导体器件的加工工艺和设计版图,仿真所述半导体器件的寄生结构。
6.根据权利要求 4 所述的基于查表法的半导体器件的建模方法,其特征在于,建立所
述半
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