第六章扫描电子显微术.pptVIP

1kV 2kV 3kV 10 20 30 40 50 (nm) Beam　Invading　depth Theory of Scanning Electron Microscope 第二十九页，共四十六页，2022年，8月28日 ↓ ↓ ↓ Primary Electron Beam Secondary Electron Backscattered Electron Cathodeluminescence Specimen Current Transmitted Electron Electron Beam Induced Current Secondary Electron Detector ~10nm (Excitation Volume for Secondary Electron Emission) Transmitted Electron (Scattered) Characteristic X-Ray The primary electron beam-specimen interaction in the SEM 第三十页，共四十六页，2022年，8月28日 第三节 电子束与试样相互作用激发的各种信号及工作方式 一、发射方式------二次电子 二次电子能量大致在0~30eV之间，多数来自表面层下部5~50?深度之间。二次电子信号对试样表面状态非常敏感。 二、反射方式------被反射电子 能量与入射电子能量相当，来自表面层几个微米的深度范围。被反射电子信号可以显示表面形貌，还可以显示元素分布。 三、吸收方式------吸收电子 吸收电子成像衬度与二次电子、被反射电子像衬度相反，可以显示元素分布和表面形貌，尤其是裂缝内部微观形貌。 第三十一页，共四十六页，2022年，8月28日 四、透射方式------透射电子 透射电子中既有弹性散射电子也有非弹性散射电子。其能量大小取决于试样的性质和厚度。可以显示成分分布。 五、俄歇电子方式------俄歇电子 能量极低，具有元素的特征能量，适合于做表层成分分析。 六、X射线方式------特征X射线 高能入射电子轰击固体试样，就好像一只X射线管，试样是其中的靶。特征X射线的波长因试样元素不同而不同，其相对强度与元素含量有关。 七、阴极发光方式------可见光 有些物质在高能电子束轰击下会发光，发光波长与杂质原子和基体物质有关。对发光光谱做波长分析，可以鉴别出基体 第三十二页，共四十六页，2022年，8月28日 物质和所含的杂质。用光电倍增管接收、成像就可以显示杂质及晶体缺陷分布情况。 八、感应信号方式------感应电信号 半导体和绝缘体在高速电子束的轰击下会在其中产生空穴-电子对，感应信号就是以此作信号的一种工作方式。这种方式可以显示半导体、绝缘体的表面形貌、晶体缺陷、微等离子体和p-n结。 第三十三页，共四十六页，2022年，8月28日 第六章扫描电子显微术 第一页，共四十六页，2022年，8月28日 Lettuce Field(16M DRAM) Theory of Scanning Electron Microscope Hitachi High-Technologies Corporation Nano Technologies Sales Dept. 第二页，共四十六页，2022年，8月28日 1. Resolution Improvement 30kV 1kV 0.6 nm 0.6 nm 0.5 nm 2.5 nm 3.5 nm 1.8 nm S-5200 S-5000H S-5000 Development of a new UHR Obj. Lens 第三页，共四十六页，2022年，8月28日 第四页，共四十六页，2022年，8月28日 New S-4800 FE-SEM Resolution: 1.0nm 15kV 1.4nm 1kV 第五页，共四十六页，2022年，8月28日 Configuration of a scanning electron microscope Objective Movable Aperture Model S-3000N Specimen Stage CRT Electron Gun SE Detector Specimen Chamber 第六页，共四十六页，2022年，8月28日 Comparison among OM, TEM and SEM 第七页，共四十六页，2022年，8月28日 第一节结构原理 扫描电镜基本上是由