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根据光电效应，当光入射到PN结时， 光子被吸收而产生电子 - 空穴对。如果电压增加到使电场达到200 kV/cm以上，初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶格原子相碰撞， 使晶格原子电离，产生新的电子 - 空穴对。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增，见图。所以这种器件就称为雪崩光电二极管(APD)。 第九十三页，共一百五十五页，2022年，8月28日 APD载流子雪崩式倍增示意图 第九十四页，共一百五十五页，2022年，8月28日 APD结构图 第九十五页，共一百五十五页，2022年，8月28日 （1） 倍增因子 由于雪崩倍增效应是一个复杂的随机过程，所以用这种效应对一次光生电流产生的平均增益的倍数来描述它的放大作用， 并把倍增因子g定义为APD输出光电流Io和一次光生电流Ip的比值。 第九十六页，共一百五十五页，2022年，8月28日 显然，APD的响应度比PIN增加了g倍。根据经验，并考虑到器件体电阻的影响，g可以表示为 式中， UB为反向偏压，UB为击穿电压，n为与材料特性和入射光波长有关的常数，R为体电阻，RIo/UB1。 第九十七页，共一百五十五页，2022年，8月28日