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高电子迁移率晶体管及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-08-02 发布于四川
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高电子迁移率晶体管及其制造方法.pdf

    本申请实施例公开了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，方法包括：提供晶圆，在该晶圆的上端面采用光刻刻蚀工艺形成栅极槽，并在该栅极槽的上端面沉积栅极金属和钝化层，采用光刻刻蚀工艺形成栅极；采用回刻工艺在该栅极两侧形成自对准工艺所需的栅极侧墙；沉积源极和漏极金属层，使得该源极和漏极金属层覆盖该钝化层以及该侧墙，得以自对准形成源漏接触，刻蚀该源极和漏极金属层，以形成源极和漏极，得到该高电子迁移率晶体管。通过设置于栅极上方的钝化层以及栅极两侧的侧墙，将栅极与源极和漏极隔离开，缩小栅极尺寸的同时，缩小栅极

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112053954 A (43)申请公布日 2020.12.08 (21)申请号 202010848580.5 H01L 29/423 (2006.01)

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