分散与絮凝作用课件.pptVIP

比法适用于贵金属(金、银、铂等)溶胶的制备。将金属(例如，银)做成两个电极，浸在冷却水中，水中含少量NaOH(约0.00l mol/dm3)作为稳定剂。制备时在两极间施加l00伏直流电，并调节两极间距离，使之发生火花(见图10-2)。此时两极达到高温状态，共表面的金属原子得以蒸发，但立即被水冷却顶凝聚成为胶粒。事实，此法兼有分散和凝聚两种过程。 * 由式10-13可见，v2也与过饱和度成正比，但v2受(c-S)的影响较v1小。在凝聚过程中，如果(c-S)/S值很大．形成的晶核很多，因而(c-S)值就会迅速减小，晶核生长的速度变慢，就有利于胶体的形成。当(c-S)/S值较小时．晶核形成得较少，(c-S)值下降得慢，晶核生长相对就快一些，对于大颗粒晶体的生产有利。如果(c-S)/S值极小，晶核的形成数目虽少，晶核生长的速率也很慢，对胶体的形成很有利。 * 固体粉碎后由于具有较高能量，为此有一种集合的倾向，这种集合按粒子间结合力大小来区分有两类； (1)需用强的机械力加以粉碎，因为颗粒本身具有强的结合力，分裂成各个小粒子后，不易回复到原来的状态，它们的集合称为聚集。 (2)用比较弱的机械力，或者固体在液体中界面上作用的物理力即可分裂成小粒子，外力消除后又回复至原来的粒子集合状态，如染料、颜料，这种集合称为凝聚或絮凝。所生成的分散体系一般在热力学上是不稳定的。在布朗运动、外来的振动、搅拌等作用下，互相碰撞的微粒就会凝聚。 * 排斥能与吸附层和扩散层界面上的电势和质点半径成正比； 吸附层和扩散层界面的电势越高，排斥能越大，质点越不易靠近，质点越易分散稳定； 粒径小时，排斥能也小，质点容易靠近，易于絮凝； 排斥能随之质点间的距离的增加，而以指数的形式下降。 * 当两个带电质点相距较远时，质点的双电层未发生交联，质点间远距离的范德华引力已经起作用，体系的相互作用能（VT）为负值； 随质点间的距离变小，双电层开始交联，静电斥力开始起作用，此时吸引能随质点间距离的较小增加较排斥能快，此时体系的相互作用能（VT）曲线双出现了第二极小值； 接着体系总能量由负变正随着质点间的距离变小，双电层斥力（VR）迅速上升，而吸引能（VA）增加较慢，于是体系的（VT）出现一峰值，即一势垒VM。 若势垒足够高，则可以阻止质点相互靠近，不至于使体系聚沉。如果势垒不够高，若质点能够越过势垒VM，体系的总势能须速下降，这说明当质点间距离很近时，吸引能VA-随质点的距离较少而剧增，使相吸力占优势，总势能为负值，这意味着质点将发生聚结，随质点间距进一步减少，体系势能达到第一极小值时，质点的聚沉变为现实。 如果在势能曲线上VR在所有的距离上都小于VA，那么质点的相互接近将无势垒存在，体系将很快聚沉。体系中加入电解质就有可能出现此现象。 当质点间距离很小时，相吸力大于排斥力，但在质点间距极近时，由于电子云的相互作用会产生Born排斥能，使总势能又急剧上升为正值。 溶胶体系中加入电解质后会使溶液中的反离子浓度升高而破坏了原来吸附层内反离子浓度与溶液中反离子浓度的平衡，于是会有更多的反离子进入吸附层，吸附层中净电荷减少，导致 电势降低 ，电斥性下降，吸引能不变，此时势能曲线上的势能降低如图9-12中所示。 随着电解质浓度增加，排斥能VR1、VR2和VR3依次降低，而势垒VT1、VT2 和VT3曲线上的势垒依次下降至VT3时已于横轴相切等于零，势垒消失,体系有稳定转为聚沉（这是临界聚沉状态，此时电解质浓度为该胶体的聚沉值)。 * 当添加的电解质浓度大于聚沉值后再继续添加电解质，反离子进入吸附层可使质点处于等电状态， 电势为零。当加入过量的电解质，特别是高价反离子，经特性吸附进入吸附层会使质点表面重新带电，其电性相反，结果使 电势反号，如图9—13。 * 高分子的稳定作用主要是由于质点表面吸附高分子化合物后其吸附层的空间位阻作用使质点稳定。 高分子化合物在质点表面上的吸附由于高分子长链有多种可能 构型，当两个带有高分子吸附层的质点接近时，彼此间的吸附层只是受挤压，体积有所缩小而不能互相穿透，由于空间限制使高分子链采取的可能构型数减少，构型熵减少，会使体系的自由能增加而产生排斥作用，有时也称熵排斥作用，使质点稳定。熵排斥能的大小主要取决于高分子化合物的链长，链越长，熵排斥能越高，质点越稳定。 * 当两个带有高分子吸附层的质点相互接近时，其吸附层可互相穿透而发生交联，在交联区内，高分子化合物的浓度增加，会产生渗透压从而引起混合过程体系的熵变和焓变，导致体系自由能的变化，若自由能升高、质点间相互排斥而使体系趋于分散稳定状态。若自由能降低则产生絮凝作用；此时高分子吸附层则有促使质点聚结的作用。高分子化合物若处于良溶剂中，易起分散稳定作用且随吸附力和吸附