SJT 10805-2000半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理.pdf

ICS 31.100SJL55备案号：8121-2001中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10805---2000半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理Semiconductor integrated circuitsGeneral principles of measuring methods for voltage comparators2000-12-28 发布2001-03-01实施中华人民共和国信息产业部　发布 前 言本标准在原国家标准GB/T6798—1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》的基础之上进行修订。本标准与GB/T6798-1996相比，所考虑参数基本相同，技术内容上作了相应处理。本标准的编制修订有利于我国半导体集成电路行业的技术交流和经济交流。本标准附录A为标准的附录。本标准由信息产业部提出。本标准由中国电子技术标准化研究所归口。本标准起草单位：中国电子技术标准化研究所。本标准主要起草人：李燕荣、崔忠勤。本标准首次发布时间：1996年。 目次1范围2引用文件3定义要求45电特性测试51输入失调电压 Vio5.2输入失调电压温度系数αvio+5.3输入失调电流Iio5.4输入失调电流温度系数αuo5.5输入偏置电流IB·65.6输入偏置电流温度系数αiB5.7静态功耗P.5.8开环电压增益Avp..95.9共模抑制比KcMR105.10最大共模输入电压VicM135.11电源电压抑制比KsvR145.12最大差模输入电压ViDM165.13输出高电平电压VoH175.14输出低电平电压VoL185.15高电平输出电流IoH195.16低电平输出电流Io195.17开环差模输入电阻Rip205.18开环单端输出电阻Ros215.19，选通电流IsT225.20响应时间很235.21选通延迟时间tsT25附录A电参数符号（标准的附录）27 中华人民共和国电子行业标准半导体集成电路SJ/T 10805—2000电压比较器测试方法的基本原理代替GB/T 6798-86Semiconductor integrated circuitsGeneral principles of measuring methods for voltage comparators1主题内容与适用范围本规范规定了半导体集成电路电压比较器（以下简称器件）电特性测试方法的基本原理。本规范适用于半导体集成电路电压比较器电特性的测试。2引用文件SJ/T10734-96半导体集成电路文字符号电参数文字符号3定义本标准所使用电参数符号和定义符合SJ/T10734的规定。4要求4.1若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定。4.2测试期间，应避免外界干扰对测试准确度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定。4.3测试期间，施于被测器件的电源的内阻在信号频率下应接近为零：电源电压的偏差应在规定值的±1%以内。施于被测器件的其他电参量的准确度应符合器件详细规范的规定。4.4交流小信号测试应在线性.工作区进行。4.5被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。4.6若有要求时，应按器件详细规范规定的顺序接通电源。4.7测试期间，被测器件应连接详细规范规定的辅助电路和补偿网络。4.8测试期间，被测器件应避免出现自激现象。4.9若电特性值是由儿步测试的结果经计算而确定时，这些测试的时间间隔应尽可能短。中华人民共和国信息产业部2000-12-28批准2001~03-01实施-1- SJ/T 10805-20004.10采用辅助放大器（A）与被测器件（DUT）构成闭合环路的方法测试时，基本测试原理如图1所示。RfRLV1S:sS6S1VRrRRsRsVGRiS10SRrS4CLS.工VVREF图1辅助放大器应满足下列要求：a.开环增益大于60dB;b．输入失调电流和输入偏置电流应很小；动态范围足够大。c.环路元件应满足下列要求：Rt · Iin≤Vio:R,≤RiD:Rs - IiB ≥Vio:Ros≤R,≤RiD;R,=R2;R,≥RL.式中：IB—被测器件的输入偏置电流；Vio-—被测器件的输入失调电压；Rip——被测器件的开环差模输入电阻；一辅助放大器的开环单端输出电阻。Ros-d.R/R,值应保证辅助放大器在线性区工作，其精度决定了测试的准确度。4.11应避免因静电放电而引起器件损伤。5电特性测试5.1输入失调电压Vio5.1.1日的- 2- SJ/T 10805-2000测试输出电压为规定值时两输入端间所加的直流补偿电压。5.1.2测试电路图Vio的测试电路图如图2所示。RpVt?R1VDUTR.CSgaSgSsV.-VoH -VoL -VoB图 25.1.3测试条