SJ_T 11631-2016太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法.pdf

ICS 77. 040H21SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11631—2016太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法Test methods for surface defects of silicon wafers for solar cell2016-09-01实施2016-04-05发布S.发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11631—2016前 言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。本标准起草单位：中国有色金属工业标准计量质量研究所、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司。本标准主要起草人：陈佳淘智东MVSD- SJ/T11631—2016太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法1范围本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）外观缺陷的测试方法。本标准适用于太阳能电池用硅片的沾污、崩边和缺口等外观缺陷的测试。对于其他类型硅片或外观缺陷在使用本标准规定的测试方法时，需经有关各方协商。INFORMAND2规范性引用文件RY文程复注口期的版本适用于本文件。下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文导仁GB/T14264体材料科太阳能电池用硅单晶品切割）TECHNOLGB/T 26071GB/T2905太阳电池用硅片HO3术语和定YRGB/T1426426071租B/T29055界于本文件。TLSILOG4方法原理14.1概述本标准采用光学成像法测试硅片的外观缺陷，通过分析光线经硅月射或从硅片中透射后光学属性的变化来表征硅片的外观缺陷状沙主要包括镜面反射法、漫和透射法。硅片外观缺陷产生原因R及常见表现形式参见附录A。-4.2镜面反射法光源和成像系统在硅片的同侧，光线入射方向与硅片所在平面的夹角和成像系统接收方向与硅片所在平面的夹角相同（0α90°，0β90，α=β），使得成像系统可以接收大部分的反射光线，如图1所示。当硅片存在崩边或缺口时，缺陷区域反射光线在β角方向密度发生变化，成像系统接收到的光强与无缺陷时存在明显差异，反映在成像系统拍摄的图片上，即缺口和部分崩边区域较正常区域暗，部分崩边区域较正常区域亮。该方法可用于硅片的崩边和缺口测试。 SJ/T11631—2016光源成像系统硅片图1镜面反射法示意图4.3漫反射法光源和成像系统在硅片的同侧，光线入射方向与硅片所在平面的夹角为α（0α90°），成像系统接收方向与硅片所在平面的夹角为β（β=90°），成像系统只接收垂直于硅片表面的漫反射光线，如图2所示。当硅片表面存在沾污时，光线在该处垂直于硅片表面的漫反射减弱，成像系统接收的漫反射光线减少，反映在成像系统拍摄的图片上，该区域较正常区域暗。该方法可用于硅片的沾污测试。成像系统光源硅片图2漫反射法示意图4.4透射法光源和成像系统在硅片的两侧，光线入射方向与硅片所在平面的夹角和成像系统接收方向与硅片所在平面的夹角均为90°（α=β=90°），成像系统接收未被硅片遮挡的光线，如图3所示。当硅片存在缺口时，光线穿过该缺陷区域被成像系统接收，成像系统在该区域接收的光线增多，反映在成像系统拍摄的图片上，该区域较正常区域亮。该方法可用于硅片的缺口测试成像系统硅片光源图3i透射法示意图2 SJ/T11631—20165干扰因素5.1测试过程中，硅片的振动或者挪移会影响硅片成像的清晰度，从而影响外观缺陷测试。5.2硅片表面清洁度。硅片表面如果有粉尘，会改变反射光强的大小，从而干扰系统对缺陷的判别。5.3硅片的翘曲度。若硅片的翘曲度过大，会改变光线的反射方向，影响成像系统对反射光的接收，从而干扰系统对于缺陷的判别。5.4成像系统的分辨率直接影响系统对于缺陷判别的准确性。5.5光源的强度会影响成像的清晰度，降低缺陷区域与非缺陷区域成像对比度，从而影响系统对于缺陷判别的准确性。6仪器6.1概述外观缺陷的光学测试仪器应包括承载装置、光源、成像系统、图像处理系统和计算机系统。6.2承载装置承载装置应能够平稳的承载待测的硅片。测试中承载装置应保持平稳，振动幅度应小于200μm。6.3光源6.3.1光源提供均匀稳定的照射光束。6.3.2利用反射法或透射法测试硅片的崩边和缺口时，建议采用光照强度较高的聚集光源。6.3.3利用漫反射法测试硅片沾污时，建议采用面光源。6.4成像系统6.4.1成像系统用于获取硅片的图像信息。6.4.2对于成像系统，被测硅片的图像在成像系统视场中的面积所占的比例宜大于80%。6.4.3获取的硅片图像应清晰、轮廓清楚。6.4.4成像系统能够识别的缺陷与其分辨能力有关，在