SJT 11393-2009半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范.pdf

ICS 31.260L45备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11393—2009半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for power light-emitting diodes2009-11-17 发布2010-01-01 实施中华人民共和国工业和信息化部发布300Ko SJ/T...11393—2009本规范附录A是规范性附家本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口本规范起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究所技促进中心北京新材料科本规范主要起草人：赵英、阮军 1393.2009. : .：半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范引言本空白详细规范是半导体光电子器件的一索列空白详细规范之并应与下列标准一起使用。GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A低温（idtIEC60068-2-1GB/T4589.1--2006：半导体器件：分立器件和集成电路总规范（IEC:60747-10：1991，IDT）.-.-.-GB/T4937半导体器件机械和气候试验方法（4IEC60749)GB/T.12565—1990半导体器件光电子器件分规范SJ/T11394—2009半导体发光器件测试方法半导体器件机械标准IEC .60191-2 第2部分要求资料下列所要求的各项内容，应列入规定的相应空s rh:详细规范的识别：[1]授权发布详细规范的国家标准化机构名称..[2]IECQ详细规范号。[3]总规范和分规范的版本号和标[4] :详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体素要求的任何更详细中的资料器件的识别：主要功能和型号[5][6]典型结构（材料主要工艺）和封装的资料。种器件有几种派生的产品，那正巢华不同点应被指出，例如在对照表中列出特性差异如果一种器件对静电敏感，应在详细规范中增加警告，小心方面的文字[7]外形图、引出端识别、标志和·或参考的相关外形标准。[8]根据总规范中2.6的质量评定类别。[9]：参考数据。: T:. i 括在详细规范中。1体佳-.: SJ/T 11393---2009LIECQ详细规范号、[授权发布详细规范的国家标准化1..（或）发布日期]·机构的名称」[3][详细规范的国家编号利评定电子元器件质量的依据GB/T 4589.1-2006　半导体器件》分立器件和[如果国家编号与 IECQ 编号相同，则本栏可不填写集成电路总规范.GB/T.12565—1990·半导体器件，光电子器件分规范1.0::[5]导体功率发光二极管详细规范用于：[相关器件的型号] 见本规范第7章订货资料：6简略说明机械说明7ILH发光二极管外形标准：类型：表面/侧面发光半导体IEC_60191-2[如果可行应强制]材料 GaAIAs/InGaAIP/GaN..:.国家标准[如果没有IEC外形标准]2:封装：树脂/金属/玻璃/陶瓷·外形图：:可以增加某些重要的相关数据」可以放到第10章并给出更多的详细资料丁引出端识别：Hi期A[画图说明管脚的功能，包括图形r i0113E::号或图形1r81标志：质量评定类别3，详细规范应规定器件上标志的内容若有的话，　［见总规范的2.5和（或）本规范第6章】: 【按总规范的2.6]参考数据：按本规范鉴定合格的器件的有关制造单位的资料，可在现行合格产品4极限值（绝对最大额定值体系）“除非另有规定，这些值适用于整个工作温度范围--但没有条号[仅重复使用带标题的条号。任何附加值应在适当地方给出，[曲线应在本规范第10章中给出。 SJ/T : 11393--2009要求符号单位章条号极限：俏, :最小最大℃4.1贮存温度XTt:F-.....4.2工作温度管壳温度℃4.2.1Tas4.3焊接温度℃XTaid（规定最长焊接时间X#和/或距管壳的最小距离）Xmm4.4反向电压4.5管壳温度为25℃下的直流正向电流4.6管壳温度为25℃下的峰值正向电流--规定的脉冲条件下（适用时）4. 7管壳温度为25℃下的耗散功率Pot4. 8静电敏感度（适用时）光电特性5.检验要求见本规范第8章。[仅重复使用带标题的条号。任何附加的特性应在适当的地方给出，但没有条［当在相同的详细规范中规定数个器件时相关数值应以连续式给出，避免相同数值的重复[特性曲线最好在本规范第10章中给出。. 11...15:修件条要求试验符号：章条号特性2单位除非另有规定分组.最大25℃最小Tas:5.1正向电压VI按规定A2bV.5. 2反向电流吸按规定uAA2bm5.3Dw五按规定光通量XA35. 4半强度角C2acm..deg.A3--5. 5峰值发射波长I按规定X5.6L按