SJ_T 1472-2016半导体分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范.pdf

ICS 31.080.30L42SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T1472—2016代替SJ/T1472-1979半导体分立器件3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 3CG110 high frequency low power PNP silicontransistor2016-09-01实施2016-04-05发布发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/言本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替SJ/T1472—1979。与SJ/T1472—1979相比，本标准主要技术变化如下：-本标准依据GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》。一本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。-原标准3CG110型PNP硅外延平面三极管规范表中共基极输出电容测试条件5MHz，本标准表2电特性5.15中共基极输出电容测试条件改为1MHz。-本标准增加了极限值参数VcBo（见4.3）和电特性参数高温下的截止电流IcB02（见5.8），IcBO1（新版见5.7，旧版见3CG110型PNP硅外延平面三极管规范表）测试条件由VcB=-10V改为VcB=VcBO，IcEO（新版见5.7，旧版见3CG110型PNP硅外延平面三极管规范表）测试条件由VcE=-10V改为VcE=VcEO，IEBo（新版见A2b分组，旧版见3CG110型PNP硅外延平面三极管规范表）测试条件由VEB=-1.5V改为VEB=-2V，删掉了交流参数Kp和NF（见旧版3CG110型PNP硅外延平面三极管规范表）请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本标准起草单位：济南市半导体元件实验所。本标准主要起草人：侯秀萍、卞岩。本标准于1979年首次发布，本次为第一次修订。H SJ/言本标准适用于3CG110型硅PNP高频小功率晶体管。本标准按照GB/T6217一1998《半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》II类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的要求INRORMATIONZANDMIITECHINOLOGYUSRDII SJ/T1472—2016半导体分立器件3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据：GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件SJ/T1472—2016和集成电路总规范》GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》半导体分立器件3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范外形尺寸简略说明外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺高频放大环境额定的双极型晶体管寸》中A3-01B型的要求。半导体材料：硅封装：金属封装（空腔）PDbal应用：在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。质量评定类别+0ⅡI类@a.s@工程数据po.35Ptor=300mW(TA=25℃)Ic=50 mAPDVcBo=-20 V~-50 VVcEo=-15 V~-45 VVEBo=-4 VhFE:25~270f≥100MHzCob≤3.5pFDebHEH发射极！2.基极3.集电极1.单位为毫米尺寸数值符号最小标称最大A4. 325. 33da2. 54db1. 01pb0. 400. 51一D5. 315. 84D4. 534. 950. 921. 041. 16jK0. 511. 2125. 012.51. 27Li SJ/T1472—20164规范性引用文件下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本标准。GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法GB/T6217一1998半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7581一1987半导体分立器件外形尺寸立器件分规卖半导体器件GB/T12560—1999MRORMATIONDUSTRY极限值（绝对最大额定值5这些极限值在整个工作温度范围内