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半导体器件半导体工艺氧化;室内环境：要求很严，恒温、恒湿、气流;名称;环境;第五页，共十八页，2022年，8月28日;硅——热氧化;目的;;;;Dry Oxidation
Si (S) + O2 (V) — SiO2 (S)
Wet Oxidation（stream Oxidation）
Si (S) + H2 O (V)— SiO2 (S) + H2 (V);氧化率的影响;氧化率的影响;4、掺杂物
氧化率：高掺杂 低掺杂
n型掺杂物：P、As、Sb
p型掺杂物：B
5、多晶硅 与单晶硅相比氧化率更快;第十五页，共十八页，2022年，8月28日;氧化质量评估
氧化后要对氧化质量进行评估，因为有些检测是破坏性的，所以在把一批晶园送入炉管的同时，在不同位置放置一定数量的专门用来测试的样片。
一般情况下主要包括表面检测和厚度检测
表面检测
通常在高亮的紫外线下对每片晶园进行检测，包括表面颗粒、不规则度、污点都会在紫外线下显现。
厚度检测
对厚度的检测非常重要，因为不同的器件或者不同目的要求，比如，MOS栅极氧化层的厚度要求就很严格。检测的技术包括：颜色比较、边沿记数、干涉、椭偏仪及电子扫描显微镜等。
;热氧化炉;作业：半导体器件半导体工艺氧化;室内环境：要求很严，恒温、恒湿、气流;名称;环境;第五页，共十八页，2022年，8月28日;硅——热氧化;目的;;;;Dry Oxidation
Si (S) + O2 (V) — SiO2 (S)
Wet Oxidation（stream Oxidation）
Si (S) + H2 O (V)— SiO2 (S) + H2 (V);氧化率的影响;氧化率的影响;4、掺杂物
氧化率：高掺杂 低掺杂
n型掺杂物：P、As、Sb
p型掺杂物：B
5、多晶硅 与单晶硅相比氧化率更快;第十五页，共十八页，2022年，8月28日;氧化质量评估
氧化后要对氧化质量进行评估，因为有些检测是破坏性的，所以在把一批晶园送入炉管的同时，在不同位置放置一定数量的专门用来测试的样片。
一般情况下主要包括表面检测和厚度检测
表面检测
通常在高亮的紫外线下对每片晶园进行检测，包括表面颗粒、不规则度、污点都会在紫外线下显现。
厚度检测
对厚度的检测非常重要，因为不同的器件或者不同目的要求，比如，MOS栅极氧化层的厚度要求就很严格。检测的技术包括：颜色比较、边沿记数、干涉、椭偏仪及电子扫描显微镜等。
;热氧化炉;作业：
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