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- 2023-08-05 发布于四川
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本发明属于芯片封装领域,具体涉及一种高可靠性晶圆级封装的薄膜体声波器件结构及其制备方法;所述结构包括功能晶圆和封帽晶圆,功能晶圆具有相对的第一表面和第二表面,和连通的第一侧壁表面,封帽晶圆具有相对的第三表面和第四表面,和连通的第二侧壁表面;封帽晶圆设有贯穿第三表面和第四表面的金属化过孔以及完全填充在金属化过孔内的金属柱,第三表面边缘与第二表面边缘通过带有一定厚度的密封环键合连接;第一表面和第一侧壁表面,以及部分第二侧壁表面设置有连通的金属沉积层,金属沉积层覆盖密封环的外侧壁;金属沉积层表面设置电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116545405 A
(43)申请公布日 2023.08.04
(21)申请号 202310511615.X (51)Int.Cl .
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