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- 2023-08-05 发布于四川
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本发明公开了一种提高横向共聚物器件耐压的高K介质结构，包括横向共聚物器件本体和高K介质阵列；横向共聚物器件本体包括从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极；有机半导体层内置有源极和漏极，位于栅极和漏极之间的有机半导体层形成为有机半导体漂移区；有机半导体漂移区的长度范围为L＝20～50um；高K介质阵列沉积在有机半导体漂移区正上方的栅极绝缘层内部或表面；高K介质阵列包括沿有机半导体漂移区长度方向等间距排列的若干个高K介质；若干个高K介质的横向长度从栅极至源极逐渐减小。本发明能够大幅提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116546825 A
(43)申请公布日 2023.08.04
(21)申请号 202310511920.9
(22)申请日 2023.05.08
(71)申请人 南开大学
地址 300071
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