半导体器件-第5-7部分：光电子器件—光电二极管和光电晶体管.pdfVIP

ICS 31.260 L50 中华人民共和国国家标准 GB/T XXXXX—XXXX 半导体器件 第5-7 部分：光电子器件– 光电二极管和光电晶体管 Semiconductor Devices–Part 5-7: Optoelectronic devices-Photodiodes and phototransistors IEC 60747-5-7:2016，IDT （征求意见稿） 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上 XXXX - XX - XX 实施 XXXX - XX - XX 发布 GB/T XXXXX—XXXX 前 言 本标准按照GB/T 1.1－2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本规范由中国电子技术标准化研究院归口。 本标准起草单位： 中国电子技术标准化研究院、………… 本标准主要起草人： 刘秀娟、赵英…………… II GB/T XXXXX—XXXX 半导体器件 第5-7 部分：光电子器件–光电二极管和光电晶体管 1 范围 IEC 60747的这个部分规定了光电二极管 （以下简称“PDs”）和光电晶体管 （以下简称“PTs”） 的术语、基本额定值和特性以及测试方法。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 无。 3 物理概念 3.1 电磁辐射 electromagnetic radiation 辐射 radiation 1)能量以与光子有关联的电磁波形式的发射或传播。 2）电磁波或光子。 [出处：IEC 60050-845:1987,845-01-01，修订——删除了注解。] 3.2 光学辐射 optical radiation 波长在向X射线过渡区 （λ≈1nm）和向无线电波过渡区 （λ≈1nm）之间的电磁辐射。 [出处：IEC 60050-845:1987,845-01-02] 3.3 可见辐射 visible radiation 任何能够直接引起视觉的光学辐射。 注：可见辐射的光谱范围没有明确的接线，因为它取决于到达视网膜的辐射功率和观察者的响应度。下限一般在 360nm和400nm之间，上限在760nm和830nm之间。 [出处：IEC 60050-845:1987,845-01-03] 3.4 红外辐射 infrared radiation 波长大于可见辐射波长的光学辐射。 [出处: IEC 60050-845:1987, 845-01-04，修改——删除了注解] 3.5 紫外辐射 ultraviolet radiation 波长小于可见辐射波长的光学辐射。 [出处: IEC 60050-845:1987, 845-01-05，修改——删除了注解] 1 GB/T XXXXX—XXXX 3.6 光 light 1）感知到的光