SJ_T 2217-2014硅光电晶体管技术规范.pdf

ICS 31.080L 54备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T2217—2014代替SJ/T2217—1982硅光电晶体管技术规范Technical specification for phototransistor of silicon2014-10-14发布2015-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2217—2014言前本规范按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本规范代替SJ/T2217--1982《硅光敏三极管》。本规范与SJ/T2217—1982相比主要变化如下：第1章，将原适用于3DU10～82改为适用于3DU系列。增加了第2章“规范性引用文件”和第3章“术语、定义和符号”。-器件结构增加了“Φ1.6mm”的外形结构（见附录A）。器件的设计参数增加了光谱响应范围（见4.1.3）。增加了绝对最大额定值的规定（见4.2）。-增加了“集电极-发射极饱和电压、发射极-集电极击穿电压的规定（见表2）。-删除参数水平较低的参数如：V(BR)CE≥15V和V(RM)CE≥10V，光照下的反向电流为0.5mA、1.0mA、1mA~2mA等。增加了最低贮存温度的要求（见表1）。高温测试的温度由原85℃提高到100℃。-增加了“外观质量”的规定（见4.4）。质量评定程序所执行的上层标准，由原SJ/T2213一1982《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》改为执行GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》GB/T12565—1990《半导体器件光电子器件分规范》（见6.1）。增加了结构相似器件的相关规定（见6.3）。环境适应性要求增加了密封试验和低温贮存试验。增加了第7章“附加说明”删除了原附录A“光敏三极管参数符号说明”。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本规范起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院、北京瑞普北光电子有限公司、中国电子集团公司第四十四研究所。本规范主要起草人：陈兰、郭德卫、郭萍。本规范历次发布版本情况：SJ/T2217—1982。- SJ/T2217—2014硅光电晶体管技术规范1范围本规范规定了硅光电晶体管（以下简称“器件”）光电特性、机械特性和环境性能的技术要求、检验方法和检验规则。本规范适用于3DU系列硅光电晶体管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2423.1电工电子产品环境试验第1部分：试验方法试验A：低温GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温GB/T2828.1一2003计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T4589.1-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937（所有部分）半导体器件机械和气候试验方法GB/T11499—2001半导体分立器件文字符号GB/T12565—1990半导体器件光电子器件分规范GB/T15651半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件SJ/T2247—1982半导体光电子器件外形尺寸SJ/T2214—2015半导体光电二极管和光电晶体管测试方法3术语、定义和符号GB/T11499—2001和GB/T15651界定的术语、定义和符号适用于本文件。4要求4.1设计和结构4.1.1器件为金属玻璃光窗或金属陶瓷玻璃光窗封装结构，芯片结构分为单晶体管型和复合晶体管型（达林顿型）。4.1.2器件的外形尺寸按SJ/T2247一1982的GD2、GD1-2和本规范附录A的规定。4.1.3器件的光谱响应范围为0.4μm～1.1μm。4.2绝对最大额定值器件的绝对最大额定值见表1。除另有规定外，这些数值适用于整个工作温度范围。1 SJ/T2217—2014表1绝对最大额定值数值单位外形和/或芯片结构特性符号最小最大100所有管型Tamb-45工作环境温度℃所有管型Testg-55150贮存温度单晶体管型GD2VcEO集电极一发射极电压V30复合晶体管型GD1-250V单晶体管型GD1-2和附录AV100单晶体管型GD1-2单晶体管型耗散功率PtotmwDoNFOD复合晶体管型1RMATION耗散功率的降额系数按相关文伴的规定NDUST4.3光电特性888888888888888888器件的光电特性！88888888888888888888888V电特性2测量条件数值O外形和/或福单位除另肴规定外，参数名称工芯片结构最小最Tamt8电流晶体管型）.0mA单自晶体管型光照下的集电极电