SJ_T 11491-2015短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量.pdf

ICS29.045H 82SJ备案号：50548-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T11491-2015短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量Test methods for measurement of interstitial oxygen content in silicon by shortbaseline infrared absorption spectrometry2015-10-01实施2015-04-30发布SJ发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11491--2015前 言本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。本标准主要起草人：李静、何秀坤、刘兵、李翔、付雪涛。家：.9室学-_1 41 SJ/T11491—2015短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量范围1本标准规定了用短基线红外光谱法测定硅中间隙氧含量。测量低电阻率的n型硅单晶和p型硅单晶中间隙氧含本标准适用于在室温下用短基线红外吸收法，大固溶度的测试。量。测量氧含量的有效范围从1×约SEUNORNAIONAINDUSTRY2术语和定义本文件下列术语和定TE2. 1背景光谱background s.2们光谱，通滑包活氧气，空气等信息。在红外光无样品单光束测量获行HNOI2. 2:baselme基线见图1。算吸收系380888888数a，从测量光普氧峰的两侦福2.32半高宽full widtb at halfmaximum (FWHM)半峰高处的吸收带宽度。见图1。RDS2.4TA参比方法referencemethAN振动引起的吸收影响，获得含氧测试样品用测试样品光谱计算扣除无氧参比主晶格n的红外透射光谱，要求无氧参比样品与测试样品厚度差小于土0.5%。2.5参比光谱referencespectrum参比样品的光谱。用双光束光谱仪测试时，可以把参比样品放在样品光路测量，让参比光路空着，由参比样品光谱计算扣除背景光谱获得参比样品光谱；用单光束光谱仪测试时，直接用参比样品光谱计算扣除背景光谱获得参比样品光谱。2. 6样品光谱samplespectrum SJ/T11491--2015测试样品的光谱。用双光束光谱仪测试时，可以把测试样品放在样品光路测量，让参比光路空着，由测试样品光谱计算扣除背景光谱获得测试样品光谱；用单光束光谱仪测试时，直接用测试样品光谱计算扣除背景光谱获得测试样品光谱。3方法原理使用经过校准的红外光谱仪和无氧的参比样品，通过参比方法获得含氧样品的红外透射谱。然后利：用硅中间隙氧原子在波数为1107cm(9.03μm)处红外吸收峰的吸收系数,来确定间隙氧原子浓度。4干扰因素A4.1在氧的吸收谱带附近有一个硅晶格的吸收振动谱带，测试时要求无氧参比样品的厚度与测试样品的厚度差应小于0.5%，以避免硅晶格吸收的影响。4.2由于氧吸收谱带和硅晶格吸收谱带都会随着样品的温度而改变，因此要求在测试过程中保证样品室的温度恒温在27℃土5℃。4.3电阻率低于1.02.cm的n型硅单晶和电阻率低于3.02*cm的p型硅单晶中的自由载流子吸收较为严重，要求测试样品的电阻率与参比样品的电阻率尽可能接近，这样才可以确保测试样品光谱扣除参比样品光谱后在1600cm处的透射率为(100士0.5)%，减少测量误差。4.4300K时，硅中间隙氧吸收谱带的FWHM应为32cm。在光谱计算时；较大的半高宽将导致测试误差。4.5该标准不适用测试电阻率低于0.1Q·cm的n型硅单晶和电阻率低于0.5Qcm的p型硅单晶中间隙氧含量的测试，因为这两类样品的自由载流子吸收很严重，不能用红外光谱仪测定，需要改用其它仪器测试氧含量。5测量仪器和材料45.1傅立叶变换红外光谱仪对于傅立叶变换红外光谱仪的分辨率应达到2cm，对于色散型光谱仪的分辨率应达到5cm或更好。5.2千分尺适用于测量样品厚度的千分尺，准确度为土0.01mm。5.3样品架根据测试样品的实际尺寸，选择样品架上遮光孔径的大小，以确证红外光束全部从样品上通过，并且样品架应垂直或基本垂直于红外光束的轴线方向。5.4温度计能够在测量过程中监控样品室温度的测温设备，准确度为土1℃。5.5氢氟酸溶液按HF：H2O=1：10的体积比配制氢氟酸溶液。2 SJ/T11491—20155.6电子级水温度25℃C时，电阻率大于18M2·cm。6环境条件6.1环境温度：23℃±2℃。6.2环境湿度：≤75%7试样制备7.1样品清洗对于所测样品，在