SJ_T 11470-2014发光二极管外延片.pdf

ICS 29.045H 83备案号：SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11470—2014发光二极管外延片Epitaxial wafers of light-emitting diodes2014-10-14发布2015-04-01实施S中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11470—2014前言本标准按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。请注意本标准的某些内容可能涉及专利。本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院技术归口。本标准起草单位：上海蓝光科技有限公司本标准参加单位：见附录BINRORMATIONZ本标准主要起草人：潘尧ANDMTECHINOLOGYTSRD牌 SJ/T11470—2014发光二极管外延片1范围本标准规定了可见光发光二极管外延片（以下简称外延片）的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于磷系、铝砷系铝钢磷系及铝镓钢氮系外延片。ANDINFORMAZ2规范性引用文件MASIRYANDINORMANV下列文件对于本注日期的版本适用于本文件。食最新版本（包括所有的修改单）适用子凡是不注日期的引用文件2002GB/T 2828AQL)第1部分：按#量限双油衣质金索的逐批检验抽样计划（IS-TECHNOLO888888GB/T264-2009本材料术语SJ/T009照明术法化SJ/T130F2009蓝宝石衬底片技音1271SJ/T2014发光RT3术语和定SGB/T 1TE009、SJ/T113952009界定的以及下列术语和定义适用件。3.1辐射功率保持率radiant power maintenance芯片在规定工作条件下连续工作规定时间后的辐射功率的值与初始比ARI4分类YD4.1按有源层材料分类外延片按有源层材料分为：a)镓砷磷系（GaAS1-xPx）；b)镓铝砷系（Gai-xAlAs）；c)铝镓钢磷系（Al.Ga,Ini-x-P）；d)铝镓铟氮系（Al.Ga,Ini-x-N）。4.2牌号与说明牌号表示为：1 SJ/T11470—2014xxXΦxXxEW-0000000派生外延片代号（以大写英文字母表示顺序）直径（mm）峰值发射波长典型值（nm）衬底材料代号有源层材料代号外延片代号（以英文首字母表示）注：“”表示字母；“X”表示数字。：有源层材料代号取材料化学元素符号的前七位字母，不足七位时由空格填充，详见表1。衬底材料代号取材料化学元素符号的前三位字母，不足三位时由空格填充，详见表1。。直径取整数值，不足三位时用空格填充。派生外延片代号需要时增设。示例：以直径为50.8mm，峰值发射波长典型值为460nm，在蓝宝石衬底上生长的有源层材料为A1GaInN材料的外延片为例，其牌号为：EW—A1GaInN—A10460Φ50牌号中各要素的含义如下：EW外延片代号；有源层材料代号（有源层材料为A1GaInN）；AlGaInNA10衬底材料代号（A120衬底，即蓝宝石衬底）；460峰值发射波长典型值（峰值发射波长典型值为460nm）；Φ50直径（直径为50.8mm）外延片材料分类说明4.3外延片材料分类说明见表1。表1外延片材料分类说明色系衬底材料直径参考黄分d分类代号有源层材料红黄绿蓝代厚绿子面光光光光号度mm晶光式向GaAsGaAVx镓砷磷系XGaASi-P:GaAsPGaPGaP50镓铝砷系JGaAsGaAxXGai-Al.AsGaAlAsu76铝镓铟磷系1XxGaAsGaAAli-Ga,Ini-P,A1GaInP100A10A1203150SicSic铝镓铟氮系XXAl,Gai-In,Ni-A1GaInNSiSiuGaNGaN注：衬底材料厚度“X”代表具体数值，参考面晶向“X”代表具体的晶向，“”代表空格。2 SJ/T11470—20145要求5.1几何参数5.1.1直径直径及偏差应符合SJ/T11396—2009的规定。5.1.2翘曲度翘曲度规定上限值。5.2表面质量外延片表面质量的主要票影响因素为装快最游值应符合表2。NRUSTRY7PRINORAION表2项目最大允许值.长度于半径刮1每平方厘米3条金不大*25个的点E直轻不小m的点状缺陷INOLOE5个注：此表数值适用于金属儿机生长的非表面粗化延E5.3外延片的物理星吉构参数应LSIXTI结构与物理参数h单位最小最大光荧光峰值发射波长Xnm波长光荧光峰值射波长片内标RDx准偏差福厚度XXP型层xXP型电极接触层掺杂浓度cm厚度x有源层XμmcmxxN型电极接触层掺杂浓度N型层厚度XXμm注：“x”代表具体数值。5.4主要参数主要参数应符合表4的规定。3 SJ/T11470—2014表4主要参数数值单位