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EGING PV FOR THE WORLD 常州亿晶光电科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 亿晶光电 EGING PV 报告人： 何垚 梁雪美 温度对多晶酸制绒的影响 内容提要 前言 多晶酸制绒反响的原理 多晶酸制绒的影响因素 温度对多晶酸制绒影响的改善实验 总结 前言 提高太阳电池转换效率的一个重要任务是减小硅片外表的光损； 多晶硅与单晶硅晶向结构不同，外表制绒方式有区别； 已经报道过的多晶外表制绒技术，如：机械刻蚀、等离子刻蚀、 电火花刻蚀、激光束刻蚀、化学腐蚀等技术等； 在大规模工业化生产中，化学腐蚀〔酸性腐蚀〕是比较理想的多晶外表制绒方法； 酸性腐蚀 酸对硅的腐蚀速度 与晶粒取向无关， 遵循各向同性腐蚀 酸性制绒的过程 中会产生大量的 热量，从而使反应 温度上升很快 基于HF/HNO3体系的酸性腐蚀液，在富HNO3情况下实现腐蚀，反响缓蚀剂为CH3COOH，并寻找一种解决制绒过程中温度上升过快的方法。 多晶酸制绒反响的原理 反响 试剂 HNO3 HF 附加剂 氧化剂 SiO2 NO 溶解SiO2 络合物H2SiF6 降低反响速率 当气泡在外表附着足够长的时间并使被遮盖和未被遮盖区域的腐蚀产生相当的差异，就会产生凸凹不平的外表。 硅片腐蚀后外表有很多腐蚀坑，大的腐蚀坑中由于反响的进行又会生成很多无规那么的小腐蚀坑。 多晶酸制绒反响的原理 如果入射光角度适宜，入射光经大腐蚀坑和小腐蚀坑后，会经过4次或更屡次反射。屡次反射后，最终使一小局部光反射到大气中，大局部光将被硅片吸收，起到了减反射的效果。 h ---- 绒面坑洞的深度 D ---- 绒面坑洞的宽度 多晶酸制绒反响的原理 硅片表 面质量 溶液温度 搅拌 附加 化学品 反应速率 影响反响速率的因素 根据阿伦尼乌斯方程〔 k=Aexp〔-Ea/RT〕 〕，温度升高，反响速度常数会成指数增大。 液体的粘度也与温度成指数关系，液体的粘度和密度随温度的升高而减小，而粘度反映了液体的传输性质。因此，腐蚀液的温度能影响动力学阻，也可影响物质-传输阻。温度升高，反响物的扩散系数增大，物质-传输速度增大。 影响反响速率的因素 不同温度下多晶酸制绒面光学显微镜照片 26 ℃，60s，22.1% 40℃，60s，31.2% 30 ℃，60s，24.6% 10 ℃，60s，20.1% 8 ℃，90s，19.8% 由于反响时的温度不是固定不变的，较难使反响温度固定在某一个值。故我们在讨论下面不同温度时仅指初始反响温度。而反响时均进行热交换处理。 我们通过测量反响前与反响后的硅片重量，计算重量差。其与时间的比值即为反响速率。 温度对多晶制绒影响的改善实验 不同温度下反响速率： 从图上可以看出，不同起始温度时，硅片的反响速度相差很大，反响温度越高反响速率越快。 温度对多晶制绒影响的改善实验 EGING PV FOR THE WORLD 常州亿晶光电科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 亿晶光电 EGING PV