SJT 11398-2009功率半导体发光二极管芯片技术规范.pdf

ICS 31.260L45备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11398—-2009功率半导体发光二极管芯片技术规范Technical specification forpower light-emitting diode chips2009-11-17 发布2010-01-01实施SJ中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T 11398—2009本规范的附录A和附录B是规范性附录，附录C是资料性附录。本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。本规范由半导体照明技术标准工作组组织起草。本规范起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、厦门三安电子有限公司、美三限公司。本规范参加单位：见附录c。本规范主要起草人：“崔，波、n长伟智甜...：:2010 权支有8: ::山 SJ/T :11398--2009功率半导体发光二极管芯片技术规范范围本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片）的技术要求、检验规则和检验方法芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定。规范性引用文件下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条素是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究= - 3是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。GB/T4937.1-2006半导体器件机械和气候试验方法第1部分总则（IEC60749-1：2002,IDTE.3GB/T4937-1995人半导体器件机械和气候试验方法(idt IEC60749:1984)SJ/T11394--2009半导体发光二极管测试方SJ/T 11399/-20099”半导体发光二极管芯片测试方法G要求通则3.13.11，优先顺序应以相关芯片应符合本规范和相关详细规范的所有要求。本规范的要求写相关详细规范不一H详细规范为准。3.1.2对详细规范的引用本规范中使用“按规定”词而未指明引用的文件时，即指引用相关详细规范。3.2材料、结构和工艺3.2.1材料应采用能使芯片符合本规范性能要求的半导体材料，且所用材料在规定的试验条应不起泡...不开裂、不软化、不流动或不出现影响芯片贮存，工作和环境适应能力的缺陷。?:*3.2.2．外形尺寸芯片的外形尺寸应符合相关详细规范的规定。3.2.3键合区键合区的大小、位置、顺序和电气功能应符合相关详细规范的规定。：3.2.4芯片的背衬材料（背镀层）芯片的背衬材料和推荐的芯片附着方法应在相关详细规范中加以说明3.2.5倒装芯片的载体材料倒装芯片的载体材料和推荐的附着方法应在相关详细规范中加以说明。3.3标志，芯片上的标志应符合相关详细规范的规定4 外观质量3.2芯片的外观质量应符合附录A的要求绝对最大额定值和特性3.5 SJ/T 11398--20093.5.1绝对最大额定值数值单位符号章条号参数最小最大-:CXT贮存温度3.5.1. 1℃平TX:工作环境温度或3. 5.1. 2A+壳温TcasTld+X:焊接温度:133X（规定最长焊接时间Xmm和/或距管壳的最小距离)X43.5.1. 4反向电压: : :xmA :X:环境温度为25℃下的直流正向电流3.51.54AL环境温度为25℃下的峰值正向电流3.5.1:6: :.:.-.--（规定的脉冲条件下）（适用时）Xr静电敏感电压（适用时）3.5.1:773.5.2光、·电及色度特性，芯片的光电及色度特性应符合相关详细规范的规定。件条要求i..性影:单位符号除非另有规定流章条号特i最小最大-25℃VxT按规定“i正向电压X.HA证按规定反向电流IcdX按规定发光强度或1m1按规定+光通量或、WX光功率O按规定O:Xnm1按规定主波长3.5.3热特性考虑中。A3.6环境适应性3.6.1键合强度并按照芯片使用时的键合方式进行键合；进行键合拉力试验，键将芯片烧结在合格的封装外壳上...答拉符合GB/T-4937-1995中II6的要求。3.6.2剪切力1995中II7的要求将芯片烧结在合格的封装外壳上，进行剪切力试验，剪切力符合GB/49373.6.3.：温度循环性能参数符合表4气温度循环20次，试验后，对封装后的样品，按最低和最高贮存温度进行空气的要求。-3.6.4循环湿热“（仅对空封器件）对封装后的样品进行循环湿热试验，试验后，性能参数符合表4的3.6.5，振动2 SJ/T 11398--2009对封装后的样品试验后，性能参数符合表4的要求。3.6.6冲击对封装后的样品进行冲击试验，试验后，性能参数符合表4的要求。3.6.7，恒定加速度（仅对空封器件）对封装后的样品进行恒定加速度试验，试验后，性能参数符合表4的要求。3.7电耐久性将芯片进行封装，加电工作168h和1000