聚焦离子束技术.docxVIP

讲习班总结 7月11日（周二）1.聚焦离子束技术（FIB） 定义：将离子束聚焦到亚微米甚至纳米量级，通过偏转系统和加速系统控制离子束扫描运动，实现微纳米图形的检测分析和微纳米结构的无掩模加工。 离子源：液态金属镓 应用：掩模板修复、电路修正、失效分析、透射电子显微镜样品制备、三维结构直写等方面。 基本组成：离子源、电子透镜、扫描电极、二次粒子探测器、多轴多向移动的样品台、真空系统。 图3一IFIH系统的结构示意图探阊单元木％南｝痈图液态金属将子源发射尖端结构心工作原理图偏转系统h—--电引蜴枇制电一*［、、上挹哽电压 图3一IFIH系统的结构示意图 探阊单元 木％南｝痈 图液态金属将子源发射尖端结构心工作原理图 偏转系统 h—--电引蜴 枇制电一*［、、上 挹哽电压f 遇镣展统 扫描单元 *一绝壕体 图形套生鲜 图％3离于与固体的相互作用过程 聚焦离子束与SEM一样，通过偏转系统控制离子束在样品表面进行光栅式扫描，同时由信号探测器接受被激发出来的二次电子或二次离子等信号，从而得到样品表面的形貌图像。FIB激发的二次电子信号强度除了与表面形貌有关外，还因样品的晶体取向、原子质量有明显的不同。 FIB获得的图像SEM获得的表面形貌包含的信息更为丰富。 FIB可以分析薄膜材料每层厚度，也可以用作成分分析。 FIB+EDS可以做三维成分分析。 M) M) I图3一I彪响离子束激发的_次电子信号强度的齐因盘时比永祗图:（a）Vh）晶体取向XX与身）原子与抑）曩而曜貌 刻蚀和切割是聚焦离子束技术最主要的功能。FIB通过偏转系统控制离子束的扫描路径与扫描区域，从而按照设定的图案刻蚀出设计的结构。 在刻蚀过程中，溅射溢出的颗粒大部分被真空泵抽走，但有部分会掉落在被刻蚀区域附近，这一过程成为再沉积。再沉积会对临近的结构形成填埋，因此在刻蚀多个相邻的结构时，通常采用并行的模式，以减小再沉积的影响。 在实际应用聚焦离子束加工制作微纳米结构时，由于FIB本身的特征及被加工材料的原因，最终加工制作出的结构有时会产生缺陷，这些缺陷主要包括： 倾斜侧壁 在聚焦的束斑内，离子呈现出高斯分布特征，越靠近束斑中心，离子的相对数量越大。如果离子束按单个像素点刻蚀轰击样品，将形成锥形截面轮廓的孔洞。随着刻蚀深度的增加，截面的锥度将逐渐减小直至饱和。因材料及其晶体取向不同，截面通常会有?4°的锥度。 要想得到与样品表面完全垂直的截面，通常采用将样品人为倾斜特定的角度，以弥补截面与离子束入射角度之间的偏差。另外，还可以采用侧向入射的方式进行切割，通过定义刻蚀图案来控制截面与表面的角度，灵活地加工出形状更加复杂的三维微纳米结构。 窗帘结构 聚焦离子束加工样品截面时，另外一个需要关注的问题是截面的平整度，有时会在截面上出现竖直条纹，被称为窗帘结构。窗帘结构的形成与聚焦离子束切割固有的倾斜侧壁密切相关，当样品表面有形貌起伏或成分差异时，会产生刻蚀速率的差异，就会形成窗帘结构。 对于表面形貌起伏引起的窗帘结构，解决办法通常是在样品表面用FIB辅助化学气相沉积生长一层保护层，使表面变得平坦；也可以通过改变离子束的入射方向，从没有起伏的面开始切割，从而避开其影响。对于成分差异引起的窗帘结构，可以通过摇摆切割的方式，使离子束在多个角度入射进行消除。 非均匀刻蚀 聚焦离子束可以直接快速地加工制作微纳米平面图形结构，对于非晶体材料或单质单晶材料，FIB刻蚀通常可以得到非常平整的轮过形状和底面，但对于多晶材料和多元化合物材料，由于各个晶粒的取向不同，刻蚀速率在不同晶粒区域也会不同，经常会呈现非均匀刻蚀，底面并不平整。 对于多晶材料刻蚀出现的非均匀性加工缺陷，可以通过增大离子束扫描每点的停留时间来加以改善。聚焦离子束轰击固体材料时，固体材料的原子被溅射逸出的过程中，部分原子会落回样品表面，该过程称为再沉积。增大离子束在每点的停留时间，再沉积的影响就会增强，再沉积的原子落入凹陷处的几率更高，可以起到平坦化的作用，从而改善刻蚀底面的平整性。 气体辅助刻蚀可以大大提高刻蚀速率，减少再沉积，提高深宽比极限。（离子束辅助沉积） 聚焦离子束辅助沉积实际上是利用高能量的离子束辐照诱导特定区域发生 化学气相沉积反应，有时也被称为离子束诱导沉积。 由于辅助沉积过程中，离子束不断地轰击样品表面，刻蚀与沉积的过程并存。 茴出体升子分解完全1最有嗨罐串胡于过剩I前部傩分子分雅完全过剩离子造瞄而独击刻蚀夫 茴出体升子分解完全 1最有嗨罐串胡于过剩I前部傩分子分雅完全过剩离子造瞄而独击 刻蚀夫 低电流，大图形IMpA/HE2,中等幽彤AOL,小国暗 图3.12聚焦离子束捕助况积H的束流密度与折积速率的关系 宜与己袜罟眸是 7月12日(周三)2.刻蚀技术 在微电子工艺中，刻蚀工艺通常主要是作为微纳图形结构的转移方法，将