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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，封装结构包括：基底；第一芯片，位于基底上方，第一芯片上具有第一焊盘和第二焊盘，其中，第一焊盘位于第一芯片的边缘；第一导线，第一导线一端与基底电连接，另一端与第一焊盘电连接；第二芯片，第二芯片位于第一芯片上方，第二芯片上具有第三焊盘以及贯穿第二芯片的导电结构导电结构的一端与第三焊盘电连接，第三焊盘与第二焊盘正对且电连接；第三芯片，第三芯片位于第二芯片上方，第三芯片上具有第四焊盘，且第四焊盘与导电结构电连接。至少能够在不增大封装结构尺寸的同时
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116581109 A
(43)申请公布日 2023.08.11
(21)申请号 202310499105.5
(22)申请日 2023.05.04
(71)申请人 长鑫存储技术有限
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