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基于大容量非易失flash的随钻声波测井技术 2009年2月13日，在钻井表土井中获得的数据卷受分辨率限制。除少量处理结果实时传输到地面外，大量结果表明和原始波形数据存储在机器内存中。在钻井过程中,为了保证随钻声波测量分辨率,需要每隔几秒钟进行一次测量。在施工过程中随钻声波测井仪为间歇工作方式,每次测量循环中,处理结果通常有几十个字节,原始波形的数据量则以千字节计,因此需要采用大容量非易失FLASH存储器进行测井数据存储。本文介绍了用于随钻声波测井数据存储的NAND FLASH芯片,并介绍了存储系统接口电路设计方法、随钻声波数据存储方式及存储流程。 1 ddflh模块 NAND FLASH和NOR FLASH是目前最常用的两种非易失闪存芯片。NOR FLASH为并行结构,传输效率高,但写入和擦除速度较低,存储器结构及引脚信号定义方式难以解决存储容量增加的矛盾,存储容量的增加使系统连线复杂且可靠性降低。NAND FLASH为串行结构,数据线与地址线复用为8 条I/O线, 另外还分别提供了命令控制信号线,命令、地址和数据信息均通过8 条I/O 线传输,因此,NAND FLASH存储器不会因为存储容量的增加而增加引脚数目,便于系统设计和产品升级。 通过以上分析和比较,NAND FLASH具有写入速度较快、容量大、功耗低、体积小、接口简单等方面的优点,更适合于随钻声波测井大容量数据存储需要,因此本设计选用了三星公司的2G bit NAND FLASH芯片K9F2G08U0M,引脚功能如表1所示。 K9F2G080M的主要特点如下: (1) 电源电压为2.7～3.6 V; (2) 读、写、擦除操作电流15 mA,待机电流10 μA; (3) 读时间80 ns,页编程时间200 μs,块擦除时间2 ms; (4) 存储单元阵列为(256M+8192)×8 bit,数据寄存器和缓冲存储器均为(2K+64)×8 bit; (5) 按页读2 Kbyte/页,按页编程(2K+64) byte,按块擦除(128K+4K) byte; (6) 具有指令/地址/数据复用的I/O口; (7) 命令寄存器操作,写控制器能自动控制所有编程和擦除操作; (8) 芯片可100 K次编程/擦除,数据可保存10年不丢失。 2 fpga与fpss的融合 数据存储系统接口电路如图1所示。 随钻声波测井仪采用DSP芯片TMS320LF2407,用于测量控制和数据处理。NAND FLASH芯片以页为单位进行读写操作,擦除操作以块为单位,写数据时,位数据只能由1变为0,对NAND FLASH进行写操作前必须把写单元所在块擦除。而在写操作时,所要擦除块的数据必须事先保存,然后再对该块进行擦除,并把数据写到指定单元,最后把其余部分恢复过来,因此,需要开辟一定的缓冲区对要擦除的块进行保存。由于K9F2G08U0M每页有2 048字节,考虑到随钻声波实时计算对存储空间的需要,因此扩展一片32 K×16位SRAM CY7C1020,数据采集器将采集到的原始波形数据和处理结果存入SRAM,达到一定的采集深度之后,从SRAM中将数据读出存入FLASH。 虽然K9F2G08U0M的容量达到了256MB,其容量和寻址范围远远超过DSP的寻址范围,但由于芯片上的写控制器能自动控制所有编程和擦除功能,提供必要的重复脉冲、内部确认和数据空间,而且K9F2G08U0M的命令、地址和数据信息均通过I/O 0～I/O 7传输,在FLASH的256M物理存贮空间中,28位地址分成5个地址周期(2字节列地址和3字节行地址),通过8位I/O口写入地址寄存器,不需要通过地址线寻址,因此无需考虑采用页面技术解决逻辑存储空间与物理空间的映射问题,大大简化了DSP与FLASH的硬件接口,实际操作起来非常方便。由于DSP和FLASH的工作电压均是3.3 V,因此两者的引脚可以直接连接,不需要进行电平转换。在图1中,FLASH的8位I/O口直接与DSP的通用I/O口IOPB0～IOPB7相连,FLASH的CE、CLE、ALE分别由DSP的IOPF1～IOPF3控制。DSP的WE、RD 分别接FLASH的WE、RE,控制读、写操作。DSP的通用I/O口IOPF0接FLASH的R/B,监测存储器的工作状态,当R/B 处于低电平时,表示有编程、擦除或随机读操作正在进行,操作完成后,R/B自动返回高电平。 3 存储sdrap 由于随钻声波测井中一个波列的数据量较大,有可能超过FALSH的页长度,而K9F2G08U0M容量为256M,不可能将测井过程中的全部波列数据均保存下来,因此,FALSH主要保存处理结果,另外根据测井需要,每隔若干页保存一次原始波形数据,两种数据均按顺序结构保存。 由于写操作时,必须先擦除当前数据块,因此如果