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一种改善鳍型场效应晶体管栅高均匀性的方法.pdfVIP

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  • 2023-08-12 发布于四川
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一种改善鳍型场效应晶体管栅高均匀性的方法.pdf

    本发明提供一种改善鳍型场效应晶体管栅高均匀性的方法，填充覆盖氮化硅刻蚀停止层及多晶硅虚拟栅间凹槽的介质层；无选择性刻蚀法去除介质层及氮化硅刻蚀停止层；高选择性刻蚀去除多晶硅虚拟栅间凹槽中的介质层；沉积化学气相沉积氧化物；研磨将硬掩模氮化硅层暴露出；高选择性刻蚀去除凹槽中部分所述化学气相沉积氧化物；填充高密度等离子体氧化物并研磨使得多晶硅虚拟栅暴露出为止。本发明的改善鳍型场效应晶体管栅高均匀性的方法使得局部平坦化效果大大提高，从而使不同线宽处多晶硅虚拟栅高度差异比较小，从而使栅高差异比较小。同时缩

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111312590 A (43)申请公布日 2020.06.19 (21)申请号 20201

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