低温CVD法在ITO衬底上制备ZnO薄膜及其特性研究.docxVIP

低温CVD法在ITO衬底上制备ZnO薄膜及其特性研究 PAGE III PAGE IV 摘 要 ZnO作为一种经典的纤锌矿直接间隙半导体材料，能够在自然条件下稳定存在，物理和化学性质稳定。因为ZnO的激活能为60meV，所以其拥有其他物质所没有的特殊物理性能。目前纳米技术快速发展和广泛应用，当纳米技术应用在ZnO上时，ZnO在传统放入的物理性能上又拥有新的特性，例如场发射、光催化和吸波性等。 本文实验制备ZnO薄膜时使用设备为GSL系列的真空高温管式炉，采用加热蒸发锌粉，在管式炉中与通入的氧气反应生成氧化锌，在氩气的运载下，沉积在低温区的ITO导电玻璃上。实验总共分组两组进行