低温CVD法在硅衬底上制备氧化锌薄膜及其特性研究.docx

低温CVD法在硅衬底上制备氧化锌薄膜及其特性研究 PAGE PAGE 2 摘 要 一种新研发出来的半导体ZnO是具有宽带的间隙的材料，它不同于现有的材料，是一种新型的，处于萌芽中的，3.37eV为ZnO的室内禁带宽度，但是这是一个估计的大约值，它的激子结合能远远比其他的材料高，竟然能够达到60meV这个难以想象的数值，可以在室温的条件下产生紫外激光辐射。在自然条件下，ZnO是一个具有六方纤锌矿构造的材料。良好的光学、气敏和压电性能是ZnO非常优异的特点，因为这些优点，所以它可以作为新型的宽禁带半导体的材料。它的应用非常广泛，它可以在LED、太阳能电池组件、透明导电薄膜等领域有着非常广