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21.(10分)某发光元件D的伏安特性曲线如图甲所示,元件在达到正向导通电压UD=2.5V后才能够发光。为了简化问题,可认为发光后元件两端电压保持为UD=2.5V不变(UD附近伏安特性曲线的斜率极陡),电压小于UD或加反向电压时,元件均处于截止状态。将该元件通过水平直导线MN垂直接入水平平行导轨中,如图乙所示,该导轨间距L=0.5m,MN右侧0.5m处有一根质量m=0.5kg的导体棒PQ放置在导轨上,与导轨始终垂直且接触良好,紧接PQ右侧的导轨间交替分布着竖直方向、磁感应强度B=1.0T,宽度d=0.55m的匀强磁场(编号分别为1、2、3……),除发光元件外,其余电阻不计,导轨足够长。已知导体棒PQ与水平导轨间的动摩擦因数μ=0.2,重力加速度g=10m/s2,空气阻力不计。开始时在PQ左侧空间里施加一竖直向上均匀增加的匀强磁场,元件恰好能导通发光。
(1)判断流过元件D的电流方向,并求出PQ左侧磁场的磁感应强度随时间的变化率 QUOTE ?B?t ;
(2)撤去PQ左侧磁场的同时给PQ施加一个水平向右、大小F=6N的恒力,求元件D
①再次发光时PQ所在的磁场区域编号n的值;
乙甲②最终的闪烁周期T(连续明暗一次的时间)。(提示:当PQ进入某一编号的磁场所产生的感应电动势大于UD且能使元件导通时,PQ会在安培力作用下瞬间减速,电动势立即变为UD
乙
甲
解析:
21.(10分)
(1)由楞次定律判断流过元件D的电流方向:N→M ·········(1分)
由法拉第电磁感应定律:UD = QUOTE ,得到:=10T/s ·········(2分)
(2)①施加恒力F后,导体棒开始将做匀加速直线运动,切割磁感线产生电动势需达到2.5V才能发光,由E=BLv,解得:v =5m/s ·········(1分)
对导体棒有:F-μmg=ma; v2=2ax
代入数据解得:x=1.25m ·········(1分)
n=1.25÷0.55≈2.3 ·········(1分)
此时导体棒已经到达第3个磁场区域,但该磁场区域中产生的电动势与导通元件所需要的电动势相反,元件不发光,导体棒继续运动到第4个磁场区域时才能发光,
故n=4 ·········(1分)
②当导体棒以大于5m/s的速度进入偶数磁场时,电流迅速增大,安培力突增使其瞬间减速到5m/s,减速过程时间忽略不计,之后以v =5m/s在偶数磁场区域做匀速直线运动,运动的时间t1=d/v=0.11s ·········(1分)
当导体棒出偶数磁场,进入奇数磁场时,由于电动势反向,电流为零,又开始以加速度a=10m/s2做匀加速直线运动,由运动学公式d=vt2+at2 2,
解得t2 =0.1s ·········(1分)
即元件最终闪烁的周期T=t1+t2=0.21s ·········(1分)
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