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一种用于零电压开关的超高频变换器 0 种双管超高频感应加热电源的拓扑 兆赫级超高频加热在表面加热和加热工艺中具有独特的优势和良好的应用前景。然而，该段的加热电源主要由电子管控制器组成。众所周知,电子管感应加热设备效率很低(50%左右),器件使用寿命短,需要预热启动。采用MOSFET等快速电力电子器件研制全固态超高频感应加热已经成为该领域的发展趋势,并在1MHz左右的小功率应用领域已经取得了一些成果[2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13]。相对于较低频率(如几十kHz、几百kHz),兆赫级超高频电源由于开关频率高,在电路设计和生产工艺上增加了很多问题,特别是需要解决电路中杂散分布参数引起的电压电流过冲和器件开关损耗大这两大问题。因为在兆级频率下,线路中的杂散电感和器件寄生电容的等效阻抗已经不能忽略,所引起的寄生振荡和电压、电流过冲将危及电路的正常工作;另一方面,随着工作频率的上升,器件的开关损耗也随之增大。因此,设计超高频电源的电路首先需要能够吸收(或工艺上减小)电路中的杂散分布参数、减低开关损耗。目前超高频小功率加热电源的拓扑多为单管或双管结构:Class-D电路在射频电源中有较长的应用历史,也适合于高频加热工作。文献研究了D类谐振逆变器并研制了1MHz加热电源。但是D类谐振逆变器属于电压型逆变器,上下开关必须设置导通死区,该死区需要占用每个周期内的一段时间,这