半导体封装用键合银丝 .pdf

半导体封装用键合银丝 Silverbondingwireforsemiconductorpackage YS/T 1105—XXXX 目  次 前言II 1 范围1 2 规范性引用文件1 3 要求1 3.1 产品分类及标记1 3.2 化学成分2 3.3 尺寸及其允许偏差2 3.4 力学性能2 3.5 表面质量3 3.6 丝材应力3 3.7 绕丝要求3 3.8 放丝性能3 4 试验方法3 5 检验规则4 5.1 检查和验收4 5.2 组批4 5.3 检验项目4 5.4 取样4 5.5 检验结果的判定4 6 标志、包装、运输和贮存5 6.1 标志5 6.2 包装5 6.3 运输、贮存5 7 质量证明书5 8 订货单 （或合同）内容6 附录A （规范性）银丝表面质量检验方法7 附录B （规范性）银丝放丝性能检测方法8 附录C （规范性）银丝线轴规定9 附录D （规范性）银丝的丝材应力检验方法9 I YS/T 1105—XXXX 前  言 本文件按照GB/T 1.1-2020 《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起 草。 本文件代替YS/T 1105-2016 《半导体封装用键合银丝》，与YS/T 1105-2016相比，除结构调整和编 辑性改动外，主要技术变化如下： a） 更改了规范性引用文件，删除密度的测试方法，增加YS/T 958 银化学分析法 银、铋、铁、 铅、锑、钯、硒和碲量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法 （见第2 章，2016年版的第2 章）； b） 增加了键合银丝CS1 （Ag99.99）、合金银丝AS5 （Ag88）的产品分类、化学成分、力学性能 要求 （见第3 章）； c） 更改了银丝的产品标记表述形式 （见3.1.2，2016年版的3.1.2）； d） 更改了银丝的化学成分 （见3.2，2016年版的3.2）； e） 更改了银丝的长度及其允许偏差 （见3.3.2，2016年版的3.3.2）； f） 更改了银丝的力学性能，删除质量和状态要求 （见3.4，2016年版的3.4）； g） 删除了银丝的密度要求及试验方法 （见2016年版的4.2）； h） 更改了银丝检验结果的判定 （见5.5，2016年版的5.5）； i） 更改了附录C 银丝线轴规定 （见附录C，2016年版的附录C）。 II 半导体封装用键合银丝 1 范围 本标准规定了半导体分立器件、集成电路、LED 封装用键合银丝 （以下简称银丝）的要求、试验 方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存质量证明书、订货单 （或合同）等内容。 本文件适用于半导体封装用键合银丝。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅改日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 8750 半导体封装用键合金丝 GB/T 10573 有色金属细丝拉伸试验方法 GB/T 11067 （所有部分） 银化学分析方法 YS/T 958 银化学分析法 银、铋、铁、铅、锑、钯、硒和碲量的测定 电感耦合等离子体原子发射 光谱法 GB/T 15072 （所有部分）贵金属合金化学分析方法 GB/T 15077 贵金属及其合金材料几何尺寸测量方法 3 要求 3.1 产品分类及标记 3.1.1 种类