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- 2023-08-18 发布于上海
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氚增殖包层对CFETR纵场波纹度的影响研究
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郑旭,朱银锋,唐梦雨,吴小四,吴琪刚
氚增殖包层对CFETR纵场波纹度的影响研究
郑旭1,朱银锋1,唐梦雨1,吴小四1,吴琪刚2
(1.安徽建筑大学 机械与电气工程学院,合肥 230601;2.中科院等离子体物理研究所,合肥 230031)
氚增殖包层作为中国聚变工程实验堆的核心部件之一,其主要功能是实现氚增殖,为聚变反应提供氚燃料。由于聚变反应产生的中子会使材料活化,因此,CFETR氚增殖包层采用低活化钢作为结构材料。低活化钢材料的铁磁特性会使等离子体区域产生磁场绕动影响装置等离子体运行的稳定性。针对CFETR装置开展纵场波纹度的研究,建立了磁场分析的有限元模型,计算了F28H、CLF-1等低活化钢的波纹度分布,得到了不同结构材料的磁场强度和波纹度大小,结果显示,磁饱和值较低的结构材料有利于降低磁场波纹度。本研究可以为后续包层材料的选择与优化提供一定的参考。
低活化材料;波纹度;纵场线圈;聚变堆;电磁分析
中国聚变包层实验堆(CFETR)的纵场(TF)线圈由16个完全相同的D形通电线圈组成,其主要功能是提供环向磁场,约束高能等离子体运动。由于极向场和环向场线圈的形状以及线圈安装位置的偏差、电流引线、金属部件中的涡流以及铁磁性材料等都会导致非环向对称磁场,通常称之为误差场(也称为磁扰动)[1]。波纹度是用来描述等离
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