用单发电子束探测激光等离子体内电磁场演化实验研究.docxVIP

用单发电子束探测激光等离子体内电磁场演化实验研究.docx

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? ? 用单发电子束探测激光等离子体内电磁场演化实验研究* ? ? 殷佳鹏 刘圣广 (上海交通大学物理与天文学院,激光等离子体教育部重点实验室,IFSA 协同创新中心,上海 200240) 惯性约束核聚变研究最近取得可喜成果,美国国家点火装置NIF 装置实验上聚变增益达到了输入激光能量的三分之二.但是,这一成果与人们的预期还有较大差距,需要更深入研究激光与等离子体相互作用初期的动力学过程.我们发展了一种新方法,用单发长脉冲电子束团为探针,测量激光等离子体内电磁场在整个等离子体持续时间内的演化过程.实验中,高压静电电子源产生能量0—100 keV 连续可调、脉宽10ns 的电子束团.1 J,532 nm,脉宽约4 ns 的激光脉冲聚焦到银靶上,激发产生等离子体.电子束团穿过激光等离子体,被其中的电磁场调制后成像,单发电子束团时间宽度会覆盖整个等离子体持续时间,通过分析电子束团的调制强度,推得等离子体内电磁场的变化.实验上成功实现了单发电子束团对整个激光等离子体内电场的诊断测量,获得了演化曲线,推算出实验条件下电子束通过路径上平均电场的最大值约为 7 .74×105 V/m. 1 引言 激光驱动惯性约束核聚变有希望彻底解决人类社会持续发展的能源问题[1-4].最近,美国国家点火装置NIF 取得可喜成果,实验上聚变增益达到了输入激光能量的三分之二,离真正意义上实现增益大于1 的目标更进了一步.但是,这一成果与人们的预期还有较大差距,人们对其中的重要物理过程还需要更深入的认识和理解.一个重要问题是实验上尚缺乏足够的诊断手段,特别是具有时间分辨的诊断手段.对激光与等离子体相互作用初期的动力学过程、等离子体临界密度面附近的能流输运过程的研究亟待加强.激光与等离子体相互作用过程中[5-7],等离子体内会产生很强的自生慢变电磁场[8-11],时间尺度在皮秒至纳秒量级.同时,这些电磁场又对等离子体的运动产生直接或间接的影响,对等离子体时空演化有着极为重要的作用.所以,研究自生电磁场的时空演化,对准确理解临界面附近的密度时空分布[12]、激光与等离子体的耦合、辐照均匀性、等离子体能量输运等过程具有重要意义. 现有的等离子体探测方法有主动探测和被动探测两类[13-16],主要以光子为探针,诊断等离子体的温度、密度、电离度等参数.由于光子对等离子体中的电磁场不敏感,所以无法得到对激光等离子体时空演化过程起关键作用的自生慢变电磁场信息.美国和欧洲一些实验室已经开展了利用质子束对等离子体动力学过程成像的研究[17-21].这些质子束有些是来自内爆聚变产生的单能质子,有些是来自超短强激光与固体靶作用产生的宽能谱质子[22].其中前者的发散角很大,而且对驱动激光的要求很高,后者的能散度很大,因此都不适合于临界面等离子体的诊断.利用超快电子成像、结合泵浦探测技术研究等离子内电磁场[23,24],取得了一些很好的结果.但是通过调节时间延迟,通过多发次才能得到演化过程,对于探测整个激光聚变过程中的不稳定性,显然是不现实的. 我们提出并验证了一种新方法,以单发电子束团为探针,测量激光等离子体内电磁场在整个等离子体持续时间内的演化过程,实验上成功实现了单发电子束团对整个激光等离子体内电场的诊断测量,获得了演化曲线,实验条件下电子束通过路径上平均电场的最大值约为 7.74×105V/m. 2 实验原理和装置 实验装置如图1 所示.加速器产生的电子束团,脉冲宽度约为10 ns,能量0—100 keV 连续可调.经过银靶正前方栅网或者小孔,被整形为单条或者多条电子束,单条电子束横向直径约40 μ0,从银靶 表面掠 过.532 nm 激 光,脉冲宽 度约为4 ns,宽度与驱动惯性约束核聚变研究的激光宽度相当,经过传输和聚焦系统,聚焦在银靶侧棱上,产生等离子体.调节电子束与激光打靶的时间,保证电子束在等离子体持续时间内从等离子体内穿过.等离子体内存在电磁场,其中的电场分量垂直于靶面向外[19,25],沿y方向,如图1(c)所示.电子束穿过时将受到电场的作用力,使其发生偏转.电场是变化的,不同时刻穿过等离子体的电子受到不同的偏转作用,获得不同的偏转角.被等离子体内电场调制过的电子束团离开等离子体漂移,穿过外加的偏转电场,外加电场方向沿x方向,而且确保随时间线性变化,线性区时间与电子束脉冲时间宽度相当,约为10 ns.外加电场将电子束团沿x方向线性偏开,束团的纵向(z方向)分布将被转为沿x方向的横向分布,在闪烁体晶片上成像.注意图1(b)中,闪烁体所在坐标系与前面坐标系相比,转过了90°.分析电子束团在y方向的偏转数据,可以推演得到等离子体内电场在整个持续时间窗口的演化过程.从而实现单发电子束对整个等离子体持续时间内电场的测量. 图1 实验原理和装置示意图 (a)装置总体布

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