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快速热处理对直拉硅单晶氧沉淀和洁净区的影响 1 碳硅材料的氧沉淀作用 在直接拉硅单晶的生长过程中，由于石英粉的溶解，硅单晶中存在过饱和的氧。在处理过程中，细硅单晶体内的过饱和氧聚集形成氧沉淀，氧沉淀吸收硅表面上的金属杂质，有效提高探测器的成品率。因此,在器件制备的多步热处理工艺中,直拉硅单晶中氧沉淀的行为得到了广泛的关注。 快速热处理(RTP)已经广泛应用于当今器件生产中,它具有快速升温的特点,可以显著减少杂质扩散和金属沾污,同时RTP的热电偶可以直接测量硅片的温度,使温度控制更加精确,而且魔幻洁净区(MDZ)的出现也进一步突显了其在器件工艺过程中的特殊作用。经过研究, RTP可以使硅片中的空位形成从表面到体内逐渐上升的浓度分布,这种空位机制会影响硅片体内的氧沉淀的形成与分布,使得硅片体内出现高密度的BMD,表面存在DZ。同时,RTP可以在一定程度上消除硅片的热历史。但是,RTP对CMOS器件的多步热处理工艺中硅单晶中氧沉淀影响的研究还很少有报道。 本文应用RTP(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2小时)消融硅片的原生氧沉淀,研究了在模拟的CMOS器件热处理工艺中, RTP对硅片体内氧沉淀及DZ的作用。 2 热处理cz 实验选取了直径200mm,〈100〉晶向,电阻率为10~12Ω·cm,厚度为600μm左右的CZ硅片,样品间隙氧浓度由傅立叶红外测试仪(FTIR)测得为10.7×1017atom/cm3,转换因子为3.14×1017cm-2。CZ样品分为两组,一组命名为group C,应用常规炉处理(1200℃,2小时)消融原生氧沉淀;另一组命名为group R,应用RTP(1250℃,50s)消融原生氧沉淀。之后,应用表1所示的热处理工艺对消融原生氧沉淀后的样品进行处理。 实验过程中,我们采取跟踪测量的办法。消除热历史后的 group C和group R样品分别命名为C-0和R-0;在表1所示的第1步,第2步,第4步,第6步热处理之后取出部分样品,依次命名为C-1, C-2,C-4,C-6和 R-1,R-2,R-4,R-6。最后,取出的样品的间隙氧浓度用FTIR测定,然后将样品解理,用Sirtl液腐蚀3min后,用光学显微镜观察其DZ和BMD。 3 热处理条件对氧沉淀的影响 图1给出了在模拟的CMOS热处理工艺过程中,样品group C和group R的间隙氧浓度的变化情况;其中,点(g)代表原生硅片的间隙氧浓度,点(0)~(6)分别代表样品C-0和R-0 ~ 样品C-6和R-6的间隙氧浓度;整个热处理过程中,样品group R的间隙氧浓度均高于group C。 从点(1)可以看到,经过RTP(1250℃,50s)处理的样品R-0的氧浓度升高,表明样品的原生氧沉淀被部分消融了;而经过常规炉退火(1200℃,2h)处理的样品C-0的氧浓度未有明显的变化。所以,RTP是一种更有效消融原生氧沉淀的手段。从点(1)可以看到,经过第1步(湿氧氧化)热处理后,样品C-1和R-1的间隙氧浓度均略有下降。这是因为在经过湿氧氧化处理时,硅片表面生成厚度约100nm的氧化层,使得大量的自间隙硅原子注入样品体内,这些自间隙原子会抑制氧沉淀核心的生成和长大。 从点(2)可看出,样品C-2和R-2的间隙氧浓度下降明显,并且样品C-2的氧浓度的下降量高于样品R-2的。这是因为第2步中所有的热处理温度均高于950℃,虽然不利于氧沉淀核心的形成,但是高温下硅片中氧的扩散系数较大,而且高温热处理时间超过8小时,所以尺寸大于热处理温度下氧沉淀所需的临界半径的原生氧沉淀有充分的时间长大,样品的间隙氧浓度下降。前面提到,RTP可以更有效地消融原生氧沉淀,所以R-2中残留的原生氧沉淀量比C-2的少,因此R-2体内可以在高温过程中长大的原生氧沉淀的量也少于样品C-2的,所以其间隙氧浓度的下降程度不像C-2那样明显。 从点(4)可看到,样品C-4和R-4的间隙氧浓度的下降最为明显。热处理工艺中第3和第4步可以看作是一次低-高两步退火过程。样品C-4在经过第3步的处理时,其间隙氧浓度仍然比较高(由点(2)可知),氧沉淀的形核驱动力较大,所以其体内会有大量的氧沉淀核心生成,这些核心和硅片体内的原生氧沉淀会在第4步高温热处理时长大,使得样品间隙氧浓度下降。对于样品R-4,由于RTP的作用,在原生氧沉淀被有效消融的同时,样品体内的空位和自间隙原子也会快速地外扩散,形成从表面到体内逐渐上升的浓度分布,由于自间隙原子的扩散系数更大,所以当两者复合以后,空位剩余下来。在经过第3步的处理时,样品R-4体内剩余的空位可以促进较大尺寸的氧化粒子(氧和空位的聚集体)的生成,因而高温退火时这些氧化粒子能长大,促进氧沉淀,使得样品的氧浓度下降。对于样品C-6和R-6,虽然第5和