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本申请提供了一种存储单元与存储器。该存储单元包括：由下至上依次叠置设置的第一电极、合成反铁磁结构、参考层、绝缘势垒层、自由层以及第二电极，参考层与自由层的磁化方向均与存储单元的厚度方向平行，合成反铁磁结构包括由下至上依次叠置设置的第一磁性层、间隔层以及第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层通过间隔层发生反铁磁耦合，间隔层为二维材料层。该存储单元中，在第一电极与参考层之间设置合成反铁磁结构，该结构采用二维材料层作为间隔层，这样的间隔层使得两侧的磁性层磁矩因发生层间反铁磁交换作用而反平行排列。该合成反铁
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110246961 A
(43)申请公布日
2019.09.17
(21)申请号 20181
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